samsung NAND, не пишется Опции

[RW9UAO]

самуснговская NAND K9F2G08U0M, 2048 + 64 байт страница. стираю блок, сначала записываю страницу данных (2048 байт), дожидаюсь завершения, читаю статус (команда 0х70), все в порядке.

col1 = 0x00
col2 = 0x00
row1 = (unsigned char) page;
row1 = (unsigned char) page>>8;
row1 = (unsigned char) page>>16;

затем пишу spare area (64 байта) той же страницы.

col1 = 0x00
col2 = 0x80
row1 = (unsigned char) page;
row1 = (unsigned char) page>>8;
row1 = (unsigned char) page>>16;
дожидаюсь завершения, читаю статус - все в порядке.
но иногда при последующем чтении видно, что или данные или спаре область не записались. то-ли не стер я её.... то-ли х.з. уже и в режим рандом ввода/вывода загонял. все равно некоторые страницы не пишутся. и их много. линукс как ни странно все пишет/читает хорошо =)

[RW9UAO]

нога подтянута. =) линукс-то пашет там замечательно. и у-бут. просто задержку пробовал. такая же песня. анализ ноги R/B происходит, он сделан с таймаутом. так я вижу, что чтение требует 1-2 цикла до готовности, запись 8-9 циклов, и стирание блока 840-850 циклов. уже весь моск сломал. сегодня попробую еще один вариант - руками выставлять CLE и ALE.