И снова схема переключения между ист пит Опции

[FormatCft]

Доброго времени.

Есть 2 ист питания (4.3В и 3.0 до 4.2В). В пике 2.5А. Средний 100мА.

Придумал схему переключения на 2х транзисторах, но во время переключения происходят просады до 3.4В. Хотелось бы собрать схему на дискретке с минимальным напряжением просады во время переключения.

Если кто имеет опыт поделитесь? Не верю что нельзя сделать достойную схему на дискретке.

[rezident]

Каковы величины напряжений "ист.1" и "ист.2"? Какой диод используется? Какие транзисторы используются? Что дальше стоит в цепи "вых"? Какое минимальное напряжение на выходе этой "переключалки" допустимо?

[FormatCft]

Каковы величины напряжений "ист.1" и "ист.2"? Какой диод используется? Какие транзисторы используются? Что дальше стоит в цепи "вых"? Какое минимальное напряжение на выходе этой "переключалки" допустимо?

Есть 2 ист питания (4.3В и 3.0 до 4.2В). В пике 2.5А. Средний 100мА.

Во время переключения происходят просады до 3.4В (при: I=2.5A Uпит1 = 4.3В, Uпит2 = 4.2В). При более маленьких токах переключение более менее нормальное.

Пока использую транзисторы irf7604 и IRLML6402.

На выходе может быть что угодно (импульсная нагрузка, ... в оговоренных рамках). 

[rezident]

Во время переключения происходят просады до 3.4В (при: I=2.5A Uпит1 = 4.3В, Uпит2 = 4.2В). При более маленьких токах переключение более менее нормальное.

Пока использую транзисторы irf7604 и IRLML6402.

Ну, а что вы хотите? Пока разница напряжений между истоком и затвором не достигнет Vgs MOSFET не откроется и у него будет лишь body-diode работать. Vgs варьируется от -0,7В (min) у первого и от -0,4В до -1,2В у второго. Причем прямое падение напряжения на body-diode до 1,2В у обоих (при токах >1А), а напряжение Vgs нормируется для тока 250мкА. Так что ваши получившиеся результаты от такой схемы вполне прогнозируемы. Если вы хотите свойства "переключали" улучшить, то введите пороговый элемент (компаратор) для управления полевиками. Без него, на одних лишь свойствах транзисторов, вы приемлимого результата не получите.

На выходе может быть что угодно. 

Так не бывает. Схема рассчитывается на конкретный диапазон напряжений, активной и емкостной нагрузок.

[FormatCft]

Ну, а что вы хотите? Пока разница напряжений между истоком и затвором не достигнет Vgs MOSFET не откроется и у него будет лишь body-diode работать. Vgs варьируется от -0,7В (min) у первого и от -0,4В до -1,2В у второго. Причем прямое падение напряжения на body-diode до 1,2В у обоих (при токах >1А), а напряжение Vgs нормируется для тока 250мкА. Так что ваши получившиеся результаты от такой схемы вполне прогнозируемы. Если вы хотите свойства "переключали" улучшить, то введите пороговый элемент (компаратор) для управления полевиками. Без него, на одних лишь свойствах транзисторов, вы приемлимого результата не получите.
Так не бывает. Схема рассчитывается на конкретный диапазон напряжений, активной и емкостной нагрузок.

Может не совсем точно написал. Выходной ток имел ввиду: "В пике 2.5А. Средний 100мА".

Если вы хотите свойства "переключали" улучшить, то введите пороговый элемент (компаратор) для управления полевиками. Без него, на одних лишь свойствах транзисторов, вы приемлимого результата не получите.

Не хочется велосипедостроением заниматься. Может уже кто сталкивался?