Цитата(rezident @ Feb 19 2009, 23:43)

Ну, а что вы хотите? Пока разница напряжений между истоком и затвором не достигнет Vgs MOSFET не откроется и у него будет лишь body-diode работать. Vgs варьируется от -0,7В (min) у первого и от -0,4В до -1,2В у второго. Причем прямое падение напряжения на body-diode до 1,2В у обоих (при токах >1А), а напряжение Vgs нормируется для тока 250мкА. Так что ваши получившиеся результаты от такой схемы вполне прогнозируемы. Если вы хотите свойства "переключали" улучшить, то введите пороговый элемент (компаратор) для управления полевиками. Без него, на одних лишь свойствах транзисторов, вы приемлимого результата не получите.
Так не бывает. Схема рассчитывается на конкретный диапазон напряжений, активной и емкостной нагрузок.
Может не совсем точно написал. Выходной ток имел ввиду: "В пике 2.5А. Средний 100мА".
Цитата(rezident @ Feb 19 2009, 23:43)

Если вы хотите свойства "переключали" улучшить, то введите пороговый элемент (компаратор) для управления полевиками. Без него, на одних лишь свойствах транзисторов, вы приемлимого результата не получите.
Не хочется велосипедостроением заниматься. Может уже кто сталкивался?