Цитата(Burner @ Feb 23 2009, 22:46)

Можно, просто дорого. Нормальный тиристор имеет прямое падения напряжения 1-1,5 В.
Соотв. полевик(хотя бы на 400 В) при падении напряжения меньше, чем на симисторе, получается довольно дорогой. Возьмем, напр., пару IRF740, включенных встречно-последовательно(иначе имхо нельзя и нет смысла). Один имеет ок. 0,6 Ом, пара - 1,2 Ом. При падении 0,6 В ток - 0,5 А. А стоят они в розницу центов по 70. Имеем за 1,4 бакса ключ на 0,5 А. Больше ток - пропорционально выше цена. Надо?
И все бы хорошо - да в стандарт по потребляемым гармоникам уже не вписаться, например, на мощности 2.5 КВт даже с 10-ти килограммовым дросселем при ФИМ-димминге...
Сейчас, например, можно найти HEXFET на 500 вольт и каналом на 0.25 Ома.. Объединим 2 таких последовательно - получим 0.5 Ома. Цена - около 100 рублей за транзистор. Плюс на 100 с лишним потянет изолированный драйвер MOSFET на 2 канала. А если на трансике делать управление - возможно, и дешевле.
Но за это мы получаем возможность димминга с ШИМ хоть на 100 КГц, ибо, как известно, нету более быстрых ключей, чем MOSFET. А отсюда и явное преимущество стоимости и размеров дросселя для сглаживания и вписывания во все стандарты ЭМС...
И как хотел бы, чтобы с тобой поступили, так и ты чувствуй поступать со всем тем, что вне твоего эго...