реклама на сайте
подробности

 
 
> MOSFET или HEXFET на переменке, возможно ли?
VadikT
сообщение Feb 23 2009, 15:10
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 77
Регистрация: 25-08-04
Пользователь №: 538



Доброго времени, господа.
Извиняйте за несколько дилетантский вопрос.
Дилемма о борьбе за рассеиваемые ватты в мощных диммерах...
Возможно ли использовать HEXFET (при условии, что его затвор смещается от изолированного источника) как ключ, работающий на переменке? Ведь как будто физически нету разницы, в каком направлении течет ток через канал N или P типа…
Известно, например, что есть оптореле, работающие на переменке, которые схематично изображаются в виде полевого транзистора с изолированным затвором, который смещается от светового потока (скорее всего, световой поток светит на фотодиод с резистором – а с него уже снимается напряжения для смещения затвора)...


--------------------
И как хотел бы, чтобы с тобой поступили, так и ты чувствуй поступать со всем тем, что вне твоего эго...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
Burner
сообщение Feb 23 2009, 18:46
Сообщение #2


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 068
Регистрация: 14-01-08
Из: Винница
Пользователь №: 34 083



Можно, просто дорого. Нормальный тиристор имеет прямое падения напряжения 1-1,5 В.
Соотв. полевик(хотя бы на 400 В) при падении напряжения меньше, чем на симисторе, получается довольно дорогой. Возьмем, напр., пару IRF740, включенных встречно-последовательно(иначе имхо нельзя и нет смысла). Один имеет ок. 0,6 Ом, пара - 1,2 Ом. При падении 0,6 В ток - 0,5 А. А стоят они в розницу центов по 70. Имеем за 1,4 бакса ключ на 0,5 А. Больше ток - пропорционально выше цена. Надо?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
VadikT
сообщение Feb 26 2009, 00:17
Сообщение #3


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 77
Регистрация: 25-08-04
Пользователь №: 538



Цитата(Burner @ Feb 23 2009, 22:46) *
Можно, просто дорого. Нормальный тиристор имеет прямое падения напряжения 1-1,5 В.
Соотв. полевик(хотя бы на 400 В) при падении напряжения меньше, чем на симисторе, получается довольно дорогой. Возьмем, напр., пару IRF740, включенных встречно-последовательно(иначе имхо нельзя и нет смысла). Один имеет ок. 0,6 Ом, пара - 1,2 Ом. При падении 0,6 В ток - 0,5 А. А стоят они в розницу центов по 70. Имеем за 1,4 бакса ключ на 0,5 А. Больше ток - пропорционально выше цена. Надо?

И все бы хорошо - да в стандарт по потребляемым гармоникам уже не вписаться, например, на мощности 2.5 КВт даже с 10-ти килограммовым дросселем при ФИМ-димминге...
Сейчас, например, можно найти HEXFET на 500 вольт и каналом на 0.25 Ома.. Объединим 2 таких последовательно - получим 0.5 Ома. Цена - около 100 рублей за транзистор. Плюс на 100 с лишним потянет изолированный драйвер MOSFET на 2 канала. А если на трансике делать управление - возможно, и дешевле.
Но за это мы получаем возможность димминга с ШИМ хоть на 100 КГц, ибо, как известно, нету более быстрых ключей, чем MOSFET. А отсюда и явное преимущество стоимости и размеров дросселя для сглаживания и вписывания во все стандарты ЭМС...


--------------------
И как хотел бы, чтобы с тобой поступили, так и ты чувствуй поступать со всем тем, что вне твоего эго...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
тау
сообщение Feb 26 2009, 08:20
Сообщение #4


.
******

Группа: Участник
Сообщений: 2 424
Регистрация: 25-12-08
Пользователь №: 42 757



Цитата(VadikT @ Feb 26 2009, 03:17) *
Сейчас, например, можно найти HEXFET на 500 вольт и каналом на 0.25 Ома.. Объединим 2 таких последовательно - получим 0.5 Ома. Цена - около 100 рублей за транзистор. Плюс на 100 с лишним потянет изолированный драйвер MOSFET на 2 канала. А если на трансике делать управление - возможно, и дешевле.


IXFH30N50 в терраэлектронике по 44 рэ поштучно . 0,16Ома .
Go to the top of the page
 
+Quote Post
VadikT
сообщение Feb 26 2009, 15:38
Сообщение #5


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 77
Регистрация: 25-08-04
Пользователь №: 538



Цитата(тау @ Feb 26 2009, 11:20) *
IXFH30N50 в терраэлектронике по 44 рэ поштучно . 0,16Ома .

Круто.

Спасибо.


--------------------
И как хотел бы, чтобы с тобой поступили, так и ты чувствуй поступать со всем тем, что вне твоего эго...
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Сообщений в этой теме
- VadikT   MOSFET или HEXFET на переменке   Feb 23 2009, 15:10
- - rezident   HEXFET это разновидность MOSFET. Для того чтобы MO...   Feb 23 2009, 15:18
- - tremor   Все бы ничего, да вот обратный диод портит идеалис...   Feb 23 2009, 15:26
- - orthodox   На низких-то напряжениях решение с двумя мосфетами...   Feb 23 2009, 19:36
- - sera_os   Дик, регулирование можно делать не ШИМ и не фазово...   Feb 26 2009, 00:31
|- - VadikT   Цитата(sera_os @ Feb 26 2009, 04:31) Дик,...   Feb 26 2009, 04:05
- - Burner   "димминга с ШИМ хоть на 100 КГц" - Вы чт...   Feb 26 2009, 19:28
|- - VadikT   Цитата(Burner @ Feb 26 2009, 22:28) ...   Feb 26 2009, 21:55
- - Burner   "Что думаете об этом?" - шо-то не то. Ес...   Feb 27 2009, 10:32
- - VadikT   Цитата(Burner @ Feb 27 2009, 13:32) ...   Feb 27 2009, 22:55
- - rezident   Цитата(VadikT @ Feb 28 2009, 03:55) Нагру...   Feb 27 2009, 23:28
- - VadikT   Цитата(rezident @ Feb 28 2009, 02:28) Алг...   Feb 28 2009, 04:14


Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 23rd July 2025 - 14:14
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01408 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016