Работа с внешней памятью Опции

[Ry-Sasha]

Есть такая задумка: использовать программу на кристале в качестве бутлоадера, а основную программу хранить во внешней флеши.
Собственно вопрос: если подключить флешь как внешнюю память и использовать аппаратные возможности работы 51-го ядра с внешней памятью, будет ли в неё произведена запись, а точнее не будут ли маленькими для записи временные задержки, и какую конкретно энергонезависимую память для этого лучше использовать

[Ry-Sasha]

Если к примеру выход WR микроконтроллера подключить к ПЗУ и писать в адреса ОЗУ за пределами кристалла, разве не будет запись?
Меня больше интересует вложится ли во временные интервалы, и есть ли эненгонезависимая память с такими короткими интервалами записи, чтобы запись всё-же произошла

[Палыч]

Если к примеру выход WR микроконтроллера подключить к ПЗУ и писать в адреса ОЗУ за пределами кристалла, разве не будет запись?

В ОЗУ запись, конечно, будет. А, вот, ПЗУ с такой быстрой записью Вы ненайдёте. Чем Вас внутренняя flash не устроила? Как вариант - поставить статическое ОЗУ с батарейным питанием (аккумулятором) для поддержания информации при отключении устройства от питающего напряжения.

Вариант 2
Внешнее ПЗУ (flash). При записи в него выдерживать тайминги бутлоадером, записанным во внутреннюю flash