И снова BGA, как правильно развести? Опции

[denebopetukius]

переход на очень высокие частоты вынудил меня осваивать BGA CPU/DSP...

в проекте требуется использовать DSP Fcore=600MHz, Fbus=133 MHz, контур посадки которого на рисунке ниже.

BGA шаг 1 мм, диаметр шара 0.5-0,7 мм

В центре чипа и по краям сосредоточены питание и земля.

Интересуетс следующее:

1) Общая топология разводки - правильность, оптимальность

2) Можно ли между шарами трассировать дорогами 0.2 мм ?

3) Кто работал заказывал ПП в Электроконнекте (Новосибирск, pselectro.ru) скажите могут ли они изготовить ПП с таким BGA ?

4) 4 слоя достаточно? (top, Vcc, GND, bottom)

Сообщение отредактировал denebopetukius - Jun 21 2009, 12:14

Эскизы прикрепленных изображений

 

[denebopetukius]

благодарю за ответы!

в ходе разбирательства возникло много вопросов.

1) в даташите оказан диаметр шара - 0.5-0.6-0.7
Есть правило которое говорит что диаметр контактной площадки под шар на ПП должно быть 0.75..0.8 от шара

Учитывая размытость в даташите - скажите оптимальный размер диаметра контактной площадки

2) исходя из поста AlexN, немного разочаровался в возможностях Электроконнекта (менять своего исполнителя ПП и искать нового совсем не хочется )

На первом рисунке показана часть трассировки которая удовлетворяет требованиям 0.2-0.2-0.2
Но при этом возможности трассировки ограничены

На втором рисунке показана желаемая трассировка , но не хватает 0.1мм для получения условия 0.2-0.2-0.2
Получается 0.2-0.1-.02 (диаметр под шар 0.5мм, шаг 1 мм)

Вопрос собственно в том как обеспечить минимальный риск при изготовлении ПП (отсутствие неконтакта, короткого замыкания) и какое выбрать соотошение ?

3) по питанию и земле

На третьем рисунке показан пример разводки питания и блокировочных конденсаторов.
Можно так делать или нет?
Как будет лучше?

В моем распоряжении конденсаторы 0402 и 0805 (керамика)

На четвертом рисунке - земля скраю.

Как правильнее развести?

4) По блокировочным кондерам...

Где лучше их располагать - под центром микросхемы или по 4-м краям? или оба варианта сразу?

P.S. может кому-то такие вопросы покажутся чепухой, но я только начинаю осваивать разводку в BGA



P.P.S. на всякий случай добавлю - планируется паять новые микросхемы уже с накатанными шарами с помощью инфракрасной станции Ersa IR550A

Эскизы прикрепленных изображений

 

[vik0]

Учитывая размытость в даташите - скажите оптимальный размер диаметра контактной площадки

В том же даташите дан рекомендованный размер кп - 0.58. Мы делали 0.55 чтобы получить зазор/проводник 0.15/0.15. Проблем не было.

Вопрос собственно в том как обеспечить минимальный риск при изготовлении ПП (отсутствие неконтакта, короткого замыкания) и какое выбрать соотошение ?

0.15/0.15

На третьем рисунке показан пример разводки питания и блокировочных конденсаторов.
Можно так делать или нет?

Категорически НЕ надо объединять кп полигоном. От каждого шарика - своя дорожка к индивидуальному переходному на слой питания/земли.

Где лучше их располагать - под центром микросхемы или по 4-м краям? или оба варианта сразу?

Ближе к шарикам питания. Соответственно - под центром. По краям - пару bulk конденсаторов.

[denebopetukius]

По краям - пару bulk конденсаторов.

что такое bulk конденасторы?

какие параметры переходных отверстий вы брали (диаметры пояска, отверстия)

Сообщение отредактировал denebopetukius - Jun 22 2009, 08:21