благодарю за ответы!
в ходе разбирательства возникло много вопросов.
1) в даташите оказан диаметр шара - 0.5-0.6-0.7
Есть правило которое говорит что диаметр контактной площадки под шар на ПП должно быть 0.75..0.8 от шара
Учитывая размытость в даташите - скажите оптимальный размер диаметра контактной площадки
2) исходя из поста AlexN, немного разочаровался в возможностях Электроконнекта (менять своего исполнителя ПП и искать нового совсем не хочется

)
На первом рисунке показана часть трассировки которая удовлетворяет требованиям 0.2-0.2-0.2
Но при этом возможности трассировки ограничены
На втором рисунке показана желаемая трассировка , но не хватает 0.1мм для получения условия 0.2-0.2-0.2
Получается 0.2-0.1-.02 (диаметр под шар 0.5мм, шаг 1 мм)
Вопрос собственно в том как обеспечить минимальный риск при изготовлении ПП (отсутствие неконтакта, короткого замыкания) и какое выбрать соотошение ?
3) по питанию и земле
На третьем рисунке показан пример разводки питания и блокировочных конденсаторов.
Можно так делать или нет?
Как будет лучше?
В моем распоряжении конденсаторы 0402 и 0805 (керамика)
На четвертом рисунке - земля скраю.
Как правильнее развести?
4) По блокировочным кондерам...
Где лучше их располагать - под центром микросхемы или по 4-м краям? или оба варианта сразу?
P.S. может кому-то такие вопросы покажутся чепухой, но я только начинаю осваивать разводку в BGA

P.P.S. на всякий случай добавлю - планируется паять новые микросхемы уже с накатанными шарами с помощью инфракрасной станции Ersa IR550A