реклама на сайте
подробности

 
 
> Работа с внешней памятью
Ry-Sasha
сообщение Jun 1 2009, 10:51
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 16
Регистрация: 2-03-06
Пользователь №: 14 888



Есть такая задумка: использовать программу на кристале в качестве бутлоадера, а основную программу хранить во внешней флеши.
Собственно вопрос: если подключить флешь как внешнюю память и использовать аппаратные возможности работы 51-го ядра с внешней памятью, будет ли в неё произведена запись, а точнее не будут ли маленькими для записи временные задержки, и какую конкретно энергонезависимую память для этого лучше использовать
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
Ry-Sasha
сообщение Jun 1 2009, 11:48
Сообщение #2


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 16
Регистрация: 2-03-06
Пользователь №: 14 888



Спасибо, но лучше програмно записывать буду, просто хотел себе жизнь облегчить, а может использовать схемные решения? Возможно ли создать цепь задержки и что из этого будет?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Палыч
сообщение Jun 1 2009, 11:51
Сообщение #3


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 399
Регистрация: 10-05-06
Из: г. Новочеркасск
Пользователь №: 16 954



Цитата(Ry-Sasha @ Jun 1 2009, 14:48) *
Возможно ли создать цепь задержки и что из этого будет?
Посмотрите время выполнения команды MOVX и сравните со временем записи во flash.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
MaslovVG
сообщение Aug 26 2009, 11:18
Сообщение #4


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 210
Регистрация: 24-01-05
Из: Россия Волгодонск
Пользователь №: 2 134



Цитата(Палыч @ Jun 1 2009, 15:51) *
Посмотрите время выполнения команды MOVX и сравните со временем записи во flash.

Для записи во флеш вовсе не требуется выдеживать большие длительности сигналов записи. Необходимо просто выдеживать соответствующии паузы между пересылками во флешь пакетов данных. А скорость обмена данными кристалов флеш с процессором не уступает SRAM. Несколько лет назад делал блок памяти в котором флешь и статическое озу висело на одной шине и все работало на скорости 20Мгц.
Кроме того существует быстрая энергонезависимая память например FRAM ф. RAMTRON.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Сообщений в этой теме
- Ry-Sasha   Работа с внешней памятью   Jun 1 2009, 10:51
- - Палыч   МК51 расчитан на работу с внешним ОЗУ. Чтение - пр...   Jun 1 2009, 11:18
- - Ry-Sasha   Если к примеру выход WR микроконтроллера подключит...   Jun 1 2009, 11:38
|- - Палыч   Цитата(Ry-Sasha @ Jun 1 2009, 14:38)...   Jun 1 2009, 11:47
- - Ry-Sasha   Под цепью задержки я подразумевал коденсатор и три...   Jun 1 2009, 12:04
|- - Палыч   Чем будете тормозить МК на время выполнения МОVX?   Jun 1 2009, 12:06
- - Ry-Sasha   А зачем его тормозить, пусть он себе WR отпускает....   Jun 1 2009, 12:15
|- - Палыч   Цитата(Ry-Sasha @ Jun 1 2009, 15:15)...   Jun 1 2009, 12:20
- - Ry-Sasha   Так в первом посте- бутлоадер на кристале, следова...   Jun 1 2009, 12:37
|- - Палыч   Цитата(Ry-Sasha @ Jun 1 2009, 15:37)...   Jun 1 2009, 12:44
- - Ry-Sasha   Я конечно извиняюсь, может Вы не поняли сути, но я...   Jun 1 2009, 12:49
|- - Палыч   Цитата(Ry-Sasha @ Jun 1 2009, 15:49)...   Jun 1 2009, 13:03
- - Ry-Sasha   Кстати, я считаю, что человек должен знать все спо...   Jun 1 2009, 13:06
- - редактор   Подобную задачу решали лет 8-10 назад Ставили ПЗУ ...   Jul 3 2009, 07:29
- - pvlad   Цитата(редактор @ Jul 3 2009, 11:29) Подо...   Aug 26 2009, 10:21


Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 28th July 2025 - 03:41
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01335 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016