Цитата(Igoryok @ Oct 30 2009, 16:51)
На осциллограммах ток на измерительном резисторе (снято прямо на выводах) и напряжение на коллекторе относительно земли (нижний вывод токоизмерительного резистора).
[attachment=37719:CurrentPulse.PNG]
Зеленый - ток;
красный - напряжение на затворе
синий- напряжение на коллекторе.
Вся эта красота появляется в модели, если добавить нескомпенсированную индуктивность между эмиттером IGBT и нулем управления.
Величина индуктивности 20 нГн, сопротивление - 0.005 Ом.
Получается, что транзистор открывается из-за ЭДС, наведенной паразитной индуктивностью в цепи между нулем управления и эмиттером (см. красный график).
В вашей топологии задача практически неразрешимая из-за резистора в цепи эмиттера IGBT.
А гореть начало как раз из-за прокладки - наступал лавинообразный процесс локального разогрева.
Т. е. тепло, накопленное из-за выброса при предыдущем закрывании, не успевало отвестись от кристалла к текущему окончанию импульса.
Ну а далее Вы знаете - маленький бабах.
Лечение здесь только одно - провода от управления к затвору как можно прямее и короче.
Сообщение отредактировал Прохожий - Oct 30 2009, 18:33
Выгорание IGBT при закрытии, обратноходовый на 1500В
Oct 30 2009, 10:37
