Реконект SIM300D GPRS Опции

[Vladimir_J]

Доброе время суток

Подскажите пожалуйста, как правильно делать реконект SIM300D по GPRS.
Есть устройство, при первом запуске железки я инициализирую GPRS коннект:

AT+CIPFLP=0
AT+CIPHEAD=1
AT+CIPATS=0
AT+CGATT=1
AT+CIPCSGP=1,"internet.mts.ru","mts","mts"
AT+CDNSORIP=0
AT+CIPSTART="UDP","xxxx","yyyy"

то все проходит на ура, но при перезапуске железа (программно),
перед самой перезагрузкой я делаю AT+CIPCLOSE (AT+CIPSHUT).
инит доходит до
AT+CGATT=1
AT+CIPCSGP=1,"internet.mts.ru","mts","mts"

Что не есть правильно, и почему нет коннекта??????

[alx125]

По поводу фантомного питания у Simcom300.
На сколько я понимаю это не проблема конкретного изделия, а КМОП технологии вообще.
Дело в том, что для некоторой (не сверхзащиты!) защиты от статического электричества МОП-транзисторов на внешних входах применяются структуры на защитных диодах. А у этой топологической структуры есть побочный эффект. При неправильном включении питания (сначала подать напряжение на входы, а потом общее питание микросхемы) получается паразитный тиристорный эффект! Возможны перегревы элементов ИМС. Из этого режима можно выйти только если полностью снять напряжение со всех выводов!

Это было известно еще 20 лет назад и проявлялось на ИМС гораздо более мелкой степени интеграции ;-)
Поэтому это нужно просто принять как должное и эксплуатировать модуль в соответствии с ТУ.

[HARMHARM]

А у этой топологической структуры есть побочный эффект. При неправильном включении питания (сначала подать напряжение на входы, а потом общее питание микросхемы) получается паразитный тиристорный эффект!

ИМХО тиристорный эффект и защита входов - разные вещи. Я наблюдал такое защелкивание без всяких защитных диодов.
В остальном Вы правы.

[alx125]

ИМХО тиристорный эффект и защита входов - разные вещи. Я наблюдал такое защелкивание без всяких защитных диодов.
В остальном Вы правы.

Добрался наконец до библиотеки и чтобы не быть голословным цитирую из книги "Цифровые устройства на комплементарных МДП интегральных микросхемах" авторы Ланцов и др. Стр.11.

"... Для защиты от высоковольтных разрядов статического электричества на входах всех ИС имеется специальная диодно-резистивная схема защиты. .....
При применении в ИС рассмотренной схемы защиты недопустима подача на вход напряжения, превышающего напряжение питания более чем на 0,2 вольта. Это связано с активизацией паразитных биполярных транзисторов в комплементарной структуре, что в свою очередь может привести к сбоям в работе ИС или ее разрушению. ....
Оба транзистора образуют совмещенную тиристорную структуру, которая будучи возбужденной, может далее поддерживать свое состояние. Возбуждение такой структуры возникает при превышении на затворе напряжения питания...

Так что тиристорный эффект здесь "при чем".