"Прямое" восстановление диода, Diode Forward Recovery Опции

[gyrator]

Приличные фирмы для солидных изделий приводят графики этих зависимостей.

Если не затруднит, то дайте пожалуйста ссылочку на оные графики от "приличных фирм".

Вы действуете ровно наоборот: сначала идет действо "доказательства в студию" - вывешиваете "простыню" симулятора без идентификации графиков(я-то, допустим, разберусь в этих графиках, если захочу, а другие?)

Если Вы такой политкорректный и правильный, то должны терпимо относится и к "неправильному" коллеге, бо в противном случае ваша политкорректность-....... А что касаемо графиков так я, как правило, "прикалываю" вверху фотообоины схемку и любой желающий может найти соответствие цвета графика и позиц. обозначения ЭРЭ. Ну, а кто не может, стало быть им это и не нужно.
Вопрос о том почему делают- не делают не совсем корректный, т.к. я показываю всего лишь свои соображения, упакованные не в словеса, как здесь принято, а в схемульки с кривульками. ИМХО, разработчики всё же не гуманитарии и им больше подходит показывать друг-другу результат симуляции или фотосы конструктивов, а не буквы. Даже "померяться бубуками" с помощью букоф весьма затруднительно и лучше продемонстрировать внешний вид оного прэдмета.

Симулятор он жеж как бумага, все стерпит)))

Симулятор-он такой, однако, (приходиться повторяться) здесь предпочитают бумагу.

Сообщение отредактировал gyrator - Nov 29 2009, 19:56

[лосев]

Тема отделена от "Проектирование БП средней мощности без конвекционного охлаждения"

Этот параметр называется Vfr -Forvard recovery voltage
и если фирме есть чем похвалится в этом плане- обязательно
хвалятся- мол у нас 2,5 вольта бывает не более 20нс.
И схемку приводят как мерять.
Или вообще крупными буквами- NO FORVARD RECOVERY!!!!
Так значит в остальных было?
А чего замалчивали? Хвалится нечем?
А вот когда нечем похвалится, приходится самому делать им анализы.
Чего они там умалчивают.
А без анализов и получается- никак не смог побороть выброс на диоде,
и поэтому забросил флай.

Все это последствия маркетинга- вложились в производство фаст-реверс-рековери
и теперь проталкивают их везде, а во флае выключение диода идет
при нулевом токе и этот параметр ему как собаке пятая нога.

Сообщение отредактировал Vokchap - Dec 9 2009, 09:39

Причина редактирования: Разделение темы

Эскизы прикрепленных изображений

 

[лосев]

В том то и дело, что схема у него совсем другая, он писал- буст.
И смотреть в точке где большая синфазная помеха бестолку- что тектрониксом
что С1И .

Поскольку нам тут выделили отдельную поляну, можно поконкретнее поговорить
про диоды.

Вот схема генератора выдающая импульсы в сотни и тысячи ампер с фронтом в нано и пикосекунды.
Здесь используется свойство диода при закрывании резко обрывать ток.
Этот диод принято называть ДНЗ -диод с накоплением заряда, хотя это самый обычный диод.
Все они имеют свойство накапливать заряд.
Подбирают только специально тот который резче закрывается.

В первый момент от низковольтного источника через L1 накачивают прямой ток в ДНЗ.
Затем подают через L2 высоковольтный импульс отрицательной полярности.
Примерно через микросекунду ДНЗ закрывается, и в этот момент вся энергия накопленная
в L2 прикладывается к тестовому диоду.
За счет выполнения дросселей L1 L2 в коаксиальном виде, паразитные емкости в схеме отсутствуют,
и фронт напряжения на диоде получается тоже резким.
А поскольку он в первый момент еще не проводит ток- носители разделены инверсным слоем,
то можно даже достичь пробоя тестового диода прямым для него напряжением.

Буржуи лукавят в своих даташитах, используя для ключа полевик-
там фронт тока не менее десятков наносекуд , и картинка получается не такой страшной.

А разговоры насчет реальности такой ситуации в аппаратуре- это разговоры.
Все реально. И молнии в ЛЭП и обычный двухполупериодный выпрямитель в импульсном источнике.
Когда один из диодов закрывается - возникает точно такая ситуация.

Для её избежания разрабатывают диоды с мягким выключением, вещают ферритовые бусинки на выводы, ставят демпфирующие цепочки- все это есть. Все это реалии.

Сообщение отредактировал лосев - Dec 10 2009, 14:09

Эскизы прикрепленных изображений

 

[IVX]

лосев, ну ок, если "всё это реалии", то каким образом я не имею проблем с 1000вт (2КВт пик) бустом (12в->70в) и не наблюдаю никаких необъяснимых .5мкс спайков на шоттке? Что толку в борьбе с эффектом на 100вт флаях, если его нет даже в такой ацкой машине, как 200А буст?
НЕХ, странные вещи говорите.. я на той неделе потестил несколько диодов и обнаружил эффект только на 1n4004 и fr104, на murs120, mur1620 и шоттках ничерта не было.

Сообщение отредактировал IVX - Dec 10 2009, 15:47

[лосев]

лосев, ну ок, если "всё это реалии", то каким образом я не имею проблем с 1000вт (2КВт пик) бустом (12в->70в)

Прадлагаете в конкурс ясновидящих поиграть?
Не видя схемы описать все проблеммы в ней?

Попробую. Стандартно- затягиванием фронтов переключения можно уйти от пиков на диодах.
Но это динамические потери на ключе. Один плюс и один минус.
Напряжения небольшие . Можно было бы переключать и побыстрее.
Похолоднее ключи будут.
Что то не дает?

[IVX]

Прадлагаете в конкурс ясновидящих поиграть?
Не видя схемы описать все проблеммы в ней?

Попробую. Стандартно- затягиванием фронтов переключения можно уйти от пиков на диодах.
Но это динамические потери на ключе. Один плюс и один минус.
Напряжения небольшие . Можно было бы переключать и побыстрее.
Похолоднее ключи будут.
Что то не дает?

55013 не даёт, хотя при моих 30нс переключения (и кстати кпд 97%), что 17 раз быстрее чем .5мкс, я наблюдаю порядка 10в/20нс спайки на мосфете, которые неплохо снижаются добавлением мелкой SMD шоттки параллельно большой шоттке, а также хорошо коррелируют с оптимальностью лэйаута рсв, из чего лично я делаю вывод, что на спайки работает индуктивность конструктива, а 500нс форвад рекавери для шоттки -брехня, как и микросекунды на ултрафастах. Не знаю, может на какой-то ссср рванине этот эффект в описанном вами виде и есть, не мерил

Vokchap, НЭТ, не сотый тек.

[лосев]

55013 не даёт,

Посмотри у Володина в теоритических вопросах тему снабберы,
я там два дня назад модельку выложил.
Там все просто- с твоими токами 0,5 нс и кпд99 можно.

[IVX]

Посмотри у Володина в теоритических вопросах тему снабберы,
я там два дня назад модельку выложил.
Там все просто- с твоими токами 0,5 нс и кпд99 можно.

и последний вапроц: лосев, кто вы? Где ваши дизайны с .5нс 200А 99% кпд и без проблем с 55013?

[лосев]

и последний вапроц: лосев, кто вы? Где ваши дизайны с .5нс 200А 99% кпд и без проблем с 55013?

Что такой невнимательный. У Валентина я написал об этом.
Конечно аппаратики для музычки ныне доходный бизнес,
я и сам люблю это дело, но как любитель.
А токи у меня к твоим еще ноликов несколько добавить.
Посмотри - не такое денежное увлечение но не менее интересное.
http://www.vniief.ru/directions/reseach/oblazer/
Вот там большой цех с кондерами и диодами и есть "дизайн блока питания".
В накачке лазеров никуда без килоампер и пикосекунд.
И переключаются нормально. Надо только правило из щкольной физики помнить
про контур тока. Не меняй его размеры.

Сообщение отредактировал лосев - Dec 11 2009, 11:29

[IVX]

никакого валентина не знаю и сильно сомневаюсь, что вы вообще в теме относительно 55013

Сообщение отредактировал IVX - Dec 11 2009, 14:04

[лосев]

никакого валентина не знаю

Ну вот видишь, я считал что каждый питательщик должен знать Володина, его
вообще вся Одесса знает.
http://valvol.flyboard.ru/topic26-765.html
А кто то считает что всем должно быть понятно что такое 55013.
Буковки то трудно указать?

Хотя и без разницы какие там буквовки - посмотришь схемку- поймешь.

[IVX]

Ну вот видишь, я считал что каждый питательщик должен знать Володина, его
вообще вся Одесса знает.
http://valvol.flyboard.ru/topic26-765.html
А кто то считает что всем должно быть понятно что такое 55013.
Буковки то трудно указать?

Хотя и без разницы какие там буквовки - посмотришь схемку- поймешь.

лосев, какие схемки, какие валентины, "какие машины грабим, женщина, вы не туда набрали"((с) пранк.ру)? Спросите у любого про смпсника на форуме, видел ли он провалы в несколько микросекунд на приличных диодах (ок 500нс на шоттке), или предложите ему переключать даже не 200, а 20А с 500пс фронтами, куда он вас пошлёт? Любой спец работающий за деньги, обязан держать свой дизайн в рамках норм по EMI, иначе его дивайсы тупо не продать, пусть даже с 99% кпд.

[gyrator]

обязан держать свой дизайн в рамках норм по EMI

"Ох, как сильно беспокоят треугольные дела! (с)"
Забей ты на этот трёп про выброс-провал. ЛосЁв сам признался, в доступной мне на время бана тусе, что запостил про включение для прикола и ему, оказывается, ближе проблема выключения диодеров.
А когда я просил оного фигуранта привести результаты измерений времени включения диодеров ( с пом. его суперпупер стендера) то афтар сказал, что"низзя", т.к. это его хлебушек. ИМХО, и схемулек простодушные дайсхемудаи тоже не дождутся по той же причине. Вопчем-одна болтовня.

[лосев]

"Ох, как сильно беспокоят треугольные дела! (с)"

Любишь ты на лосева бочку накатить.
А зря- схемулька странмцей выше лежит. А на тусе меня забанили .
За правду можно сказать пострадал. Фиг им больше а не схемки.



Можно сравнить то, что я сказал по русски с корявым фирменным мануалом.
http://www.semikron.com/internet/webcms/ob...lp/ru/1_3_1.pdf

рост тока в открытом состоянии di/dt настолько высокий, что, например, VFRM
может возрасти до 200 В или 300 В для 1700 В диодов, что более чем в 100 раз
превышает VF,
- диод обычно включается из закрытого состояния, при этом возникает VFRM,
которое намного больше, чем, если бы диод включался из нейтрального состояния.
Низкое VFRM . одно из наиболее важных требований к обратным диодам, так как
снабберные цепи становятся эффективны только после включения диода.

Диоды с платиной становятся такими же «мягкими», как и CAL-диоды при номинальном токе (75 А).
Но меньшие токи вызовут максимальные перенапряжения, более 100 В при 10 %
номинального тока из-за быстрых параметров переключения.

Так что я скромно предложил на 175 вольт выброса посмотреть.

Для CAL . диодов пик центра рекомбинации (при Не++ имплантации) расположен в р .
зоне, рядом с pn . переходом как на рис.1.35, следовательно, это приведет к уменьшению
тока утечки. Не++ имплантация совмещена с откорректированным временем жизни основных
носителей, полученного при облучении электронным лучом.

Это означает что эти диоды производятся на оборудовании похожем на ускорители,
и стоимость кристалла начинается с 30 бачков.

А в тех диодах что доступны добиваются в основном мягкого
обратного восстановления, но при этом прямое может быть
неконтролируемым, что "допускается"

Следующие условия влияют на режим мягкого восстановления:
1. Ширина wB n- зоны увеличена, NPT (см. выражение 1.9), в диоде создается
дополнительная зона, которая не достигается полем при номинальном
напряжении. Но это может привести к предельному росту падения напряжения
(см. выражение 1.7) или отношения VF/QRR. Но это несоответствие допускается
даже для поздних разработок

И чего? Лучше бы про мощность которую свечка считает просветил народ.
Чем реактивная от активной отличается в реалии?

Сообщение отредактировал лосев - Dec 12 2009, 09:24

[Herz]

Можно сравнить то, что я сказал по русски с корявым фирменным мануалом.
http://www.semikron.com/internet/webcms/ob...lp/ru/1_3_1.pdf

Спасибо, посмеялся. И не лень было людям на девяти (!) языках эти откровения накрапать. Евангелие отдыхает...

Это означает что эти диоды производятся на оборудовании похожем на ускорители,
и стоимость кристалла начинается с 30 бачков.

Это потому что:

Если диод содержит золото, ток утечки может расти очень резко