В свое время мы изобретал похожие ( по изложенным требованиям) датчики на базе p-n перехода.
Работали в рамках НТТМ (если кто помнит было такое поветрие).
Метода простая - в качестве заготовки использовали пластину-спутник с сформированным p-n переходом (большой диод).
Далее с обоих сторон пылили то-ли медь, то-ли никель (давно это было, уже и не помню), скрайбировали в размер 0,7х0,7.
На первых образцах выводы припаивали, потом стали варить ультразвуком.
Датчики получались с приличным быстродействием. Схема измерения - прямое падение на p-n переходе при запитке стабильным током.
Конечно все это было возможным потому что мы сами работали там где микросхемы делались

. Конечно под нас никто техпроцесс не настраивал, просто мы использовали стандартные операции.
конец

В вашем случае можно попробовать изобрести что-нибудь на базе бескорпусных диодов (применяются в ГИС).
Ну или поискать подходящих знакомых например в Воронеже.