Наносекундный модулятор для GaAs транзисторов. Опции

[oleg_uzh]

Уважаемые форумчане.
Подскажите отечественный с "5" быстродействующий биполярный илиУважаемые форумчане.
Подскажите отечественный с "5" быстродействующий биполярный или полевой транзистор, для GaAs транзистора. Кроме как 2Т624АМ-2 на ум ничего не лезет. Длительность импульса порядка 5-10 нс. И есть ли какие-то стандартные схемы включения модулятора ? полевой транзистор, для GaAs транзистора. Кроме как 2Т624АМ-2 на ум ничего не лезет.

Нагрузочный ток 1-2 А;
Длительность импульса порядка 5-10 нс, Q=10;
Амплитуда однополярного выходного импульса 15В;
Амплитуда управляющего импульса 3,3 В.

И есть ли какие-то стандартные схемы включения модулятора для GaAs (включен по схеме общий исток)?

[ledum]

Что-то я совсем перестал понимать Вашу идею. В уме какая-то рекурсия получается - быстрый модулятор быстрого модулятора. Модуляция фазовая или амплитудная? Транзистор такой при неизменном напряжении затвор-исток сопротиление канала меняет очень мало, хоть 1В на стоке, хоть 7В. Можно попробовать поставить транзисторы в плечи квадратурного моста, как это делается в фазовых модуляторах, тогда сигнал через затворы не проходит и на них можно подавать модуляцию. Можно замодулировать Ваш транзистор более мощным типа 3П930Б или В-2. Из быстрых мощных кремниевых полевиков я слышал о 2П928 и 2П933 - их технические характеристики были в 1-м дополнении к справочнику Петухова по транзисторам

Сообщение отредактировал ledum - Feb 24 2010, 21:14

[oleg_uzh]

Что-то я совсем перестал понимать Вашу идею. В уме какая-то рекурсия получается - быстрый модулятор быстрого модулятора. Модуляция фазовая или амплитудная? Транзистор такой при неизменном напряжении затвор-исток сопротиление канала меняет очень мало, хоть 1В на стоке, хоть 7В. Можно попробовать поставить транзисторы в плечи квадратурного моста, как это делается в фазовых модуляторах, тогда сигнал через затворы не проходит и на них можно подавать модуляцию. Можно замодулировать Ваш транзистор более мощным типа 3П930Б или В-2. Из быстрых мощных кремниевых полевиков я слышал о 2П928 и 2П933 - их технические характеристики были в 1-м дополнении к справочнику Петухова по транзисторам

Да идея не нова и стара как мир. В двух словах: молудятор состоит из
1) управляющего усторойства (построенного на дифкаскадах 2Т624) - для управления полевиком
2) мощный быстродествующий полевик типа IRFL8503, включенный по схеме истокового повторителя. И уже данный полевик осужествляет модуляцию СВЧ GaAs транзистора по стоку, то есть осуществляет импульсную модуляцию.

Вот и созрел вопрос: каким из отечественных полевиков с "5" можно заменить буржуйский полевик, неуступающий ему по ГАБАРИТНЫМ и ВРЕМЕННЫМ и т.п. характеристикам ?

Вроде поподробнее расписал.

[ledum]

1) управляющего усторойства (построенного на дифкаскадах 2Т624) - для управления полевиком
2) мощный быстродествующий полевик типа IRFL8503, включенный по схеме истокового повторителя. И уже данный полевик осужествляет модуляцию СВЧ GaAs транзистора по стоку, то есть осуществляет импульсную модуляцию.

Транзистор IRFL8503 не нашел, видно Гугл меня забанил, да это и не важно. Попробуем на пальцах прикинуть. Транзисторы из 3-го тома Петухова (ссылка через один пост выше), ИМХО, подходят 2П918, 2П923, 2П933 (любимый и наиболее подходящий 2П907 отбрасываем из-за габаритов). Пусть нужен ток через транзисторы порядка 1-1.5А. Это соответствует где-то 7-8В затвор-исток кремниевого транзистора, да плюс 7В для GaAs, итого подмодулятор должен дать 14-15В размаха на емкость порядка 200-250пФ за 2.5нс - длительность либо фронта, либо спада т.е. подмодулятор в нагрузку должен давать
i=dq/dt=CxdU/dt=200x10E-12x14/2.5E-9=1.14А через плечо в нагрузку. Да и мощность такую 624 не вытянут.
Я немного смахиначил, но с учетом необходимости емкости на стоке GaAs, хотя бы, 100пФ, можно меня простить.

[oleg_uzh]

Немножко перепутал в обозначении транзистора.
Вот ссылка на транзистор http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlr8503.pdf

А замена ищется на IRLR8503, вроде белорусы что-то там осваивали и похоже неудачно.

[ledum]

Вот ссылка на транзистор http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlr8503.pdf

А теперь прикиньте ток для прокачки его входной емкости, да и времянки, мягко говоря, не соответствуют Вашим требованиям.
А если зайти с другой стороны - почитать 11-13 стр. апликухи http://www.skyworksinc.com/uploads/documents/200312C.pdf и вспомнить попившие мне крови на монтаже лет 20-25 назад быстрые pin-диоды http://www.npptez.ru/docs/shr/2a547.pdf , ну или чуть мощнее http://www.npptez.ru/docs/shr/2a551.pdf - с этими уже не довелось столкнуться. Все-таки 100-200мА тока это не 2-3А с размахом 15В. А потом уже промодулированый аттенюатором сигнал усилить Вашим GaAs.

Сообщение отредактировал ledum - Feb 27 2010, 11:00