Коммутация 24В микроконтроллером, ток до 6А Опции

[Aleksandr_des]

Вопрос новичка, сразу прошу не пинать, тему создавать не хотел так как вопрос подобный.
Есть транзистор КТ827А, задача коммутировать ток 5-6А, 24В, микроконтроллером.
Расчет такой: т.к коэф усиления составляет 750, необходимый ток 5-6А, следовательно ток базы должен быть не менее 8мА? Т.е получается что данный транзистор будет успешно коммутировать такие токи без "посредников" если учитывать что максимальный ток порта 20мА .
Верный ли расчет?

[rezident]

IGBT-то зачем? 24В с помощью MOSFET нужно коммутировать!

Модератор. Тему разделил потому как она слабо коррелирует с исходной.

[Aleksandr_des]

IGBT-то зачем? 24В с помощью MOSFET нужно коммутировать!

Модератор. Тему разделил потому как она слабо коррелирует с исходной.

Подскажите в какую сторону рыть? Полевые транзисторы ни разу не использовал.
IRF1310N, N-канал 100В 42А, такой подойдет к примеру?

[rezident]

Подскажите в какую сторону рыть? Полевые транзисторы ни разу не использовал.
IRF1310N, N-канал 100В 42А, такой подойдет к примеру?

Нет, впрямую не подойдет. Потому, что он N-канальный. Поскольку вам нужно управлять "верхним" ключем, коммутируя "плюс", то нужно смотреть на P-канальные MOSFET. Управление MOSFET отличается от управления биполярным транзистором тем, что биполярный требует ток базы постоянно пока включен. А MOSFET требует значительный ток только в моменты коммутации. Схема включения P-канального MOSFET практически как у биполярного PNP. Только нужно ограничить напряжение между затвором и истоком в пределах ±20В обычно. В типовых применениях ставят стабилитрон на 15-18В. Ну и слишком низкое напряжение MOSFET не сможет коммутировать, если управление от него же происходит. Потому что для того, чтобы полностью открыть канал MOSFET на затвор относительно истока нужно подать напряжение не менее 7-8В (положительное для N-канальных и отрицательное для P-канальных). Конечно существуют полевики с управлением Logic Level, но у них и максимальное напряжение стока сравнительно невелико.
Резюмируя.
Преимущества MOSFET как ключей перед биполярными транзисторами.
+ малое падение напряжение на полностью открытом канале
+ очень низкий ток управления для поддержания MOSFET в открытом состоянии
+ униполярность открытого канала, т.е. ток через открытый канал MOSFET может течь в любом направлении
Недостатки.
- сравнительно большой ток в моменты коммутации. Затвор MOSFET по сути конденсатор, который нужно быстро перезарядить. I=C*dU/dt
- ограничение на диапазон управляющих напряжений затвора как "снизу", так и "сверху"
- наличие "паразитного" диода (body-diode), связанного с технологией изготовления MOSFET. Т.е. при обратной полярности напряжения, приложенного к MOSFET, этот диод будет проводить вне зависимости от того открыт MOSFET или закрыт..
Конечно есть еще множество других нюансов, но вы их наверняка узнаете сами, если почитаете что-нибудь из литературы.

[BOBA_12345]

- наличие "паразитного" диода (body-diode), связанного с технологией изготовления MOSFET. Т.е. при обратной полярности напряжения, приложенного к MOSFET, этот диод будет проводить вне зависимости от того открыт MOSFET или закрыт..
Конечно есть еще множество других нюансов, но вы их наверняка узнаете сами, если почитаете что-нибудь из литературы.

Обьясните, пожалуйста, я немного не понял.
Хочу использовать что-нибудь вместо диода для защиты от переполюсовки.
тут http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt94-8.pdf предлагается использовать HEXFET.
Для своего приложения выбирал, например irlr8729. Но в даташите написано :
Vsd Diode Forward Voltage max 1.0V
Т.е. при неправильной полярности Hexfet сгорит?

[rezident]

Для своего приложения выбирал, например irlr8729. Но в даташите написано :
Vsd Diode Forward Voltage max 1.0V
Т.е. при неправильной полярности Hexfet сгорит?

Применительно к статье и схеме из нее, падение на body-диоде практически никак на ее функционирование не влияет. Т.к. в прямом включении (батарея подключена правильно) он (диод) будет зашунтирован открытым каналом полевика. А в обратном включении (батарея подключена неправильно) диод будет смещен в обратном направлении и канал полевика закрыт. Сгореть эта схема может в двух случаях. Напряжение батареи подключенной неправильно превышает предельное напряжение затвор-исток (V_GSmax), либо, если V_GS ограничено, то напряжение лавинного пробоя body-диода V_DSmax. Второй случай, когда тепловыделение на открытом полевике превысит максимально допустимые значения (большой ток через открытый канал), например, вследствие замыкания вторичных цепей прибора.