Цитата(Alex_IC @ Mar 29 2010, 11:14)
Здравствуйте!
Помогите определиться, что лучше с точки зрения рад. стойкости: латеральные p-n-p транзисторы или МОП-транзисторы (в частности р-канальные)? И почему? Например, для технологии 0,6 мкм БиКМОП.
Ну на мой взгляд на одних латерах трудновато что-то полезное построить (еще какая схема цифра/аналог).
А так вероятно для предотвращения тиристорной защелки и последующего повреждения (это когда ядрёный взрыв),
наиболее пригодны полностью изолированные технологии (неважно биполяр/КМОП) т.е. SOI (по нашему КНИ)
или даже лучше кремний на сапфире (КНС).
А вот против накопленной дозы (это когда спутник в космосе долго болтается или долгая ядрёная война)
в КМОПах в подздатворнике накапливается заряд, уходят пороги, транзисторы открываются и текут.
В какой-то теме здесь про стойкие ПЛИСЫ говорили что при меньших нормах КМОП более устойчив
(типа меньше объем или площадь затвора т.е. меньше накапливается заряд в подзатворнике).
Биполяр в этом плане окисла не имеет т.е. походу должен быть более устойчив против накопленной дозы.
А вообще как-то давно слышал что раньше стойкие схемы делали чуть ли не по метровым нормам (несколько микрометров, алюминиевые затворы).
Alex_IC а вам для военных целей на случай ядрёной войны или ракету в космос запускать?
Очень интересная тема, хоть бы кто из корифеев в этой теме рассказал что почем.
Alex_IC а вы бы в названии темы подписали "для радиационной стойкости" (а то не понятно в каком плане лучше)
Сообщение отредактировал willis - May 28 2010, 07:40
латер. PNP или МОП, что лучше?
Mar 29 2010, 07:14
