Здравствуйте!

Помогите определиться, что лучше с точки зрения рад. стойкости: латеральные p-n-p транзисторы или МОП-транзисторы (в частности р-канальные)? И почему? Например, для технологии 0,6 мкм БиКМОП.

Перенесите лучше эту тему в разработку ИМС. Там есть знающих про рад. стойкость и технологии.

Ну на мой взгляд на одних латерах трудновато что-то полезное построить (еще какая схема цифра/аналог).

А так вероятно для предотвращения тиристорной защелки и последующего повреждения (это когда ядрёный взрыв),
наиболее пригодны полностью изолированные технологии (неважно биполяр/КМОП) т.е. SOI (по нашему КНИ)
или даже лучше кремний на сапфире (КНС).

А вот против накопленной дозы (это когда спутник в космосе долго болтается или долгая ядрёная война)
в КМОПах в подздатворнике накапливается заряд, уходят пороги, транзисторы открываются и текут.
В какой-то теме здесь про стойкие ПЛИСЫ говорили что при меньших нормах КМОП более устойчив
(типа меньше объем или площадь затвора т.е. меньше накапливается заряд в подзатворнике).
Биполяр в этом плане окисла не имеет т.е. походу должен быть более устойчив против накопленной дозы.

А вообще как-то давно слышал что раньше стойкие схемы делали чуть ли не по метровым нормам (несколько микрометров, алюминиевые затворы).

Alex_IC а вам для военных целей на случай ядрёной войны или ракету в космос запускать?

Очень интересная тема, хоть бы кто из корифеев в этой теме рассказал что почем.

Alex_IC а вы бы в названии темы подписали "для радиационной стойкости" (а то не понятно в каком плане лучше)

Вопрос выбора p-МОП или p-n-p появился при разработке источника опорного тока, там быстродействия от транзисторов не требуется, остальная схема (СВЧ) на верт. n-p-n. Изоляция переходом. Радстойкость нужна для случая яд. взрыва. А в теме не писал про радстойкость, потому как в разделе по радстойкости раньше тема была
Как я понял, здесь лучше биполяр - латер. p-n-p так?

Что лучше в Вашем случае и именно для конкретной (гарантированно радиационностойкой) технологии изготовления, Вы узнаете только после компьютерного моделирования, имитационных испытаний, моделирующих испытаний и :-), натурных испытаний как минимум 5-ти вариантов реализаций. Учтите, что нередко по данной тематике в литературных источниках прет дэза. Обратите внимание на публикации Агаханяна Т.М.
Радиационные эффекты в интегральных микросхемах [Текст] / Под ред. Т.М. Агаханяна. - М. : Энергоатомиздат, 1989. - 253 с. : ил. - Библиогр.: с.242-251. - 3-20 р.
Микроэлектроника [Текст] : науч.журн. - М. : Наука/Интерпериодика, Изд. с 1972 г. - . - ISSN 0544-1269. 2004г. т.33 № 2 Агаханян, Татевос Мамиконович. Моделирование радиационных эффектов в интегральных микросхемах / Т.М. Агаханян. - С.85-90

monitor7 спасибо за указанную книгу Агаханяна
уже нашлась http://infanata.ifolder.ru/16895300
книга видно путевая
со статьями сложнее

Немного погуглив нашел некоторый материал на аглицком
(материал скорее для таких бегинеров как я)
А после предупреждения monitor7 что по данной теме
преднамеренно могут запускать дезу даже на знаю
как относиться к тому что находишь в инете (быть на стрёме?)
Ну да ладно может полезный материал.

Несколько презенташек от швейцарских изыскателей из ЦЕРНа
- Radiation Effects on Electronic Components - Martin Dentan
- Radiation Effects on Electronics Circuits - Martin Dentan
- Future trends in radiation hard electronics - F. Faccio
- Radiation effects in the electronics for CMS - F. Faccio
- RADIATION HARD ELECTRONICS - F. Anghinolfi

Презенташка и книга походу от европейского космического агентства
- Space Radiation Effects in Electronic Components - Len Adams
- The Radiation Design Handbook

http://ifolder.ru/17937898

Как там, у Владимира Владимировича: "Изводишь единого слова ради тысячи тонн словесной руды..."

Не четко выразился ранее. Литературы по данной тематике не так уж много.
Вот еще: Папков В.С., Цыбульников М.Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979.

Именно латеральные, с "толстой" базой, если рассматривать "комплексный букет" при ЯВ, будут более стойкими, чем МОП.
Если же у Вас параллельно используются нпн с тонкой базой, то по нейтронам именно они сдохнут гораздо раньше МОП-ов.

Механизмы деградации разные (образование микро-проколов базы для биполяров, существенно снижающие h21э, Uбэmax и т.п., и заряд подзатворного окисла для МОП-ов), посему и стойкость к разным факторам отличается. Не считаю другую специфику.

Утечки переходов, изоляции - факторы вторичные. И начинают играть значимую роль только при очень мощных импульсах и огромных дозах.
Известный эффект триггерной "защелки" для КМОП, например, не так уж и сложно победить топологически.

А вообще, нюансов куча.
Общего ответа на поставленный вопрос не существует.
Надо конкретизировать. Например, размеры хотя бы. А то субмикронный МОП - тоже где-то закрытый биполяр с высоким h21э.

to zzzzzzz

Можно и конкретней. Если рассмотреть например, xb06 от xfab. И выбор стоит между латер. p-n-p (qpa) и p-МОП (pmos4), в случае когда остальная часть на верт. n-p-n (special NPN). Параметры на стр. 7.

XB06 изготовителем не определена, как радиационностойкая технология, только XI10

monitor7 ну мож людям нужно кроме рад. стойкости еще хороший биполяр

Alex_IC а выб для ясности привели 2 варианта схемы источников тока которые хотите юзать (они небось не секретные)

В этом случае без разницы, используйте то, что удобнее.
Так как первыми загнутся всё равно NPN и NMOS.
Я бы остановился на PMOS в таком разе.
Латеральные очень медленные и могут получиться с низким бетта (возможно, в таблице они недоговаривают). Да и по габаритам уступают.
У PMOS-а будет расти порог. Если сделать высокосимметричные плечи токовых зеркал, то искажения полезут только при приближении порога к величине питания почти (если правильно все сделать).

to willis, monitor7

Схема такая. Один источник обеспечивает ток пропорциональный температуре (PTAT), второй обратно пропорциональный температуре (CTAT) регулировкой их соотношения получаем необходимый температурный коэффициент источника опорного тока. Сами источники на верт. n-p-n.
Чтобы просуммировать эти токи используется токовое зеркало на латер. p-n-p или p-МОП. Особых требований по радстойкости мне и не надо, потому и не надо использовать спец. технологию, к тому же хороший СВЧ биполяр нужен.
Если путем выбора соответствующих элементов можно повысить радстойкость, то почему не сделать

to zzzzzzz

Спасибо, понял. Слабо разбираюсь в радстойкости, но почему-то всегда верил, что вертикальные n-p-n самые стойкие...

Я бы добавил для общего образования следующий доклад (Дубна, ноябрь 2010):
www.d-instruments.ru/materials/Popov.pdf