реклама на сайте
подробности

 
 
> латер. PNP или МОП, что лучше?
Alex_IC
сообщение Mar 29 2010, 07:14
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 195
Регистрация: 5-09-06
Из: Москва
Пользователь №: 20 092



Здравствуйте!

Помогите определиться, что лучше с точки зрения рад. стойкости: латеральные p-n-p транзисторы или МОП-транзисторы (в частности р-канальные)? И почему? Например, для технологии 0,6 мкм БиКМОП.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
willis
сообщение May 28 2010, 07:33
Сообщение #2





Группа: Участник
Сообщений: 7
Регистрация: 26-05-10
Пользователь №: 57 540



Цитата(Alex_IC @ Mar 29 2010, 11:14) *
Здравствуйте!

Помогите определиться, что лучше с точки зрения рад. стойкости: латеральные p-n-p транзисторы или МОП-транзисторы (в частности р-канальные)? И почему? Например, для технологии 0,6 мкм БиКМОП.

Ну на мой взгляд на одних латерах трудновато что-то полезное построить (еще какая схема цифра/аналог).

А так вероятно для предотвращения тиристорной защелки и последующего повреждения (это когда ядрёный взрыв),
наиболее пригодны полностью изолированные технологии (неважно биполяр/КМОП) т.е. SOI (по нашему КНИ)
или даже лучше кремний на сапфире (КНС).

А вот против накопленной дозы (это когда спутник в космосе долго болтается или долгая ядрёная война)
в КМОПах в подздатворнике накапливается заряд, уходят пороги, транзисторы открываются и текут.
В какой-то теме здесь про стойкие ПЛИСЫ говорили что при меньших нормах КМОП более устойчив
(типа меньше объем или площадь затвора т.е. меньше накапливается заряд в подзатворнике).
Биполяр в этом плане окисла не имеет т.е. походу должен быть более устойчив против накопленной дозы.

А вообще как-то давно слышал что раньше стойкие схемы делали чуть ли не по метровым нормам (несколько микрометров, алюминиевые затворы).

Alex_IC а вам для военных целей на случай ядрёной войны или ракету в космос запускать?

Очень интересная тема, хоть бы кто из корифеев в этой теме рассказал что почем.

Alex_IC а вы бы в названии темы подписали "для радиационной стойкости" (а то не понятно в каком плане лучше)

Сообщение отредактировал willis - May 28 2010, 07:40
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Alex_IC
сообщение May 29 2010, 06:56
Сообщение #3


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 195
Регистрация: 5-09-06
Из: Москва
Пользователь №: 20 092



Вопрос выбора p-МОП или p-n-p появился при разработке источника опорного тока, там быстродействия от транзисторов не требуется, остальная схема (СВЧ) на верт. n-p-n. Изоляция переходом. Радстойкость нужна для случая яд. взрыва. А в теме не писал про радстойкость, потому как в разделе по радстойкости раньше тема была smile.gif
Как я понял, здесь лучше биполяр - латер. p-n-p так?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
monitor7
сообщение May 29 2010, 15:51
Сообщение #4


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 198
Регистрация: 23-12-04
Пользователь №: 1 649



Цитата(Alex_IC @ May 29 2010, 10:56) *
Как я понял, здесь лучше биполяр - латер. p-n-p так?


Что лучше в Вашем случае и именно для конкретной (гарантированно радиационностойкой) технологии изготовления, Вы узнаете только после компьютерного моделирования, имитационных испытаний, моделирующих испытаний и :-), натурных испытаний как минимум 5-ти вариантов реализаций. Учтите, что нередко по данной тематике в литературных источниках прет дэза. Обратите внимание на публикации Агаханяна Т.М.
Радиационные эффекты в интегральных микросхемах [Текст] / Под ред. Т.М. Агаханяна. - М. : Энергоатомиздат, 1989. - 253 с. : ил. - Библиогр.: с.242-251. - 3-20 р.
Микроэлектроника [Текст] : науч.журн. - М. : Наука/Интерпериодика, Изд. с 1972 г. - . - ISSN 0544-1269. 2004г. т.33 № 2 Агаханян, Татевос Мамиконович. Моделирование радиационных эффектов в интегральных микросхемах / Т.М. Агаханян. - С.85-90
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
2 чел. читают эту тему (гостей: 2, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 26th July 2025 - 06:26
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01398 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016