реклама на сайте
подробности

 
 
> латер. PNP или МОП, что лучше?
Alex_IC
сообщение Mar 29 2010, 07:14
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 195
Регистрация: 5-09-06
Из: Москва
Пользователь №: 20 092



Здравствуйте!

Помогите определиться, что лучше с точки зрения рад. стойкости: латеральные p-n-p транзисторы или МОП-транзисторы (в частности р-канальные)? И почему? Например, для технологии 0,6 мкм БиКМОП.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
willis
сообщение May 30 2010, 17:35
Сообщение #2





Группа: Участник
Сообщений: 7
Регистрация: 26-05-10
Пользователь №: 57 540



monitor7 спасибо за указанную книгу Агаханяна
уже нашлась http://infanata.ifolder.ru/16895300
книга видно путевая
со статьями сложнее

Немного погуглив нашел некоторый материал на аглицком
(материал скорее для таких бегинеров как я)
А после предупреждения monitor7 что по данной теме
преднамеренно могут запускать дезу даже на знаю
как относиться к тому что находишь в инете (быть на стрёме?)
Ну да ладно может полезный материал.

Несколько презенташек от швейцарских изыскателей из ЦЕРНа
- Radiation Effects on Electronic Components - Martin Dentan
- Radiation Effects on Electronics Circuits - Martin Dentan
- Future trends in radiation hard electronics - F. Faccio
- Radiation effects in the electronics for CMS - F. Faccio
- RADIATION HARD ELECTRONICS - F. Anghinolfi

Презенташка и книга походу от европейского космического агентства
- Space Radiation Effects in Electronic Components - Len Adams
- The Radiation Design Handbook

http://ifolder.ru/17937898
Go to the top of the page
 
+Quote Post
monitor7
сообщение May 30 2010, 19:14
Сообщение #3


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 198
Регистрация: 23-12-04
Пользователь №: 1 649



Цитата(willis @ May 30 2010, 21:35) *
...по данной теме
преднамеренно могут запускать дезу ...


Как там, у Владимира Владимировича: "Изводишь единого слова ради тысячи тонн словесной руды..."

Не четко выразился ранее. Литературы по данной тематике не так уж много.
Вот еще: Папков В.С., Цыбульников М.Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
2 чел. читают эту тему (гостей: 2, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 26th July 2025 - 06:20
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01382 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016