латер. PNP или МОП, что лучше? Опции

[Alex_IC]

Здравствуйте!

Помогите определиться, что лучше с точки зрения рад. стойкости: латеральные p-n-p транзисторы или МОП-транзисторы (в частности р-канальные)? И почему? Например, для технологии 0,6 мкм БиКМОП.

[willis]

monitor7 спасибо за указанную книгу Агаханяна
уже нашлась http://infanata.ifolder.ru/16895300
книга видно путевая
со статьями сложнее

Немного погуглив нашел некоторый материал на аглицком
(материал скорее для таких бегинеров как я)
А после предупреждения monitor7 что по данной теме
преднамеренно могут запускать дезу даже на знаю
как относиться к тому что находишь в инете (быть на стрёме?)
Ну да ладно может полезный материал.

Несколько презенташек от швейцарских изыскателей из ЦЕРНа
- Radiation Effects on Electronic Components - Martin Dentan
- Radiation Effects on Electronics Circuits - Martin Dentan
- Future trends in radiation hard electronics - F. Faccio
- Radiation effects in the electronics for CMS - F. Faccio
- RADIATION HARD ELECTRONICS - F. Anghinolfi

Презенташка и книга походу от европейского космического агентства
- Space Radiation Effects in Electronic Components - Len Adams
- The Radiation Design Handbook

http://ifolder.ru/17937898

[monitor7]

...по данной теме
преднамеренно могут запускать дезу ...

Как там, у Владимира Владимировича: "Изводишь единого слова ради тысячи тонн словесной руды..."

Не четко выразился ранее. Литературы по данной тематике не так уж много.
Вот еще: Папков В.С., Цыбульников М.Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979.