реклама на сайте
подробности

 
 
> латер. PNP или МОП, что лучше?
Alex_IC
сообщение Mar 29 2010, 07:14
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 195
Регистрация: 5-09-06
Из: Москва
Пользователь №: 20 092



Здравствуйте!

Помогите определиться, что лучше с точки зрения рад. стойкости: латеральные p-n-p транзисторы или МОП-транзисторы (в частности р-канальные)? И почему? Например, для технологии 0,6 мкм БиКМОП.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
willis
сообщение Jun 1 2010, 17:53
Сообщение #2





Группа: Участник
Сообщений: 7
Регистрация: 26-05-10
Пользователь №: 57 540



Цитата(monitor7 @ May 31 2010, 21:51) *
XB06 изготовителем не определена, как радиационностойкая технология, только XI10

monitor7 ну мож людям нужно кроме рад. стойкости еще хороший биполяр

Alex_IC а выб для ясности привели 2 варианта схемы источников тока которые хотите юзать (они небось не секретные)
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 29th July 2025 - 19:40
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01366 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016