латер. PNP или МОП, что лучше? Опции

[Alex_IC]

Здравствуйте!

Помогите определиться, что лучше с точки зрения рад. стойкости: латеральные p-n-p транзисторы или МОП-транзисторы (в частности р-канальные)? И почему? Например, для технологии 0,6 мкм БиКМОП.

[zzzzzzzz]

Именно латеральные, с "толстой" базой, если рассматривать "комплексный букет" при ЯВ, будут более стойкими, чем МОП.
Если же у Вас параллельно используются нпн с тонкой базой, то по нейтронам именно они сдохнут гораздо раньше МОП-ов.

Механизмы деградации разные (образование микро-проколов базы для биполяров, существенно снижающие h21э, Uбэmax и т.п., и заряд подзатворного окисла для МОП-ов), посему и стойкость к разным факторам отличается. Не считаю другую специфику.

Утечки переходов, изоляции - факторы вторичные. И начинают играть значимую роль только при очень мощных импульсах и огромных дозах.
Известный эффект триггерной "защелки" для КМОП, например, не так уж и сложно победить топологически.

А вообще, нюансов куча.
Общего ответа на поставленный вопрос не существует.
Надо конкретизировать. Например, размеры хотя бы. А то субмикронный МОП - тоже где-то закрытый биполяр с высоким h21э.

[Alex_IC]

to zzzzzzz

Можно и конкретней. Если рассмотреть например, xb06 от xfab. И выбор стоит между латер. p-n-p (qpa) и p-МОП (pmos4), в случае когда остальная часть на верт. n-p-n (special NPN). Параметры на стр. 7.

[zzzzzzzz]

to zzzzzzz
Можно и конкретней. Если рассмотреть например, xb06 от xfab. И выбор стоит между латер. p-n-p (qpa) и p-МОП (pmos4), в случае когда остальная часть на верт. n-p-n (special NPN). Параметры на стр. 7.

В этом случае без разницы, используйте то, что удобнее.
Так как первыми загнутся всё равно NPN и NMOS.
Я бы остановился на PMOS в таком разе.
Латеральные очень медленные и могут получиться с низким бетта (возможно, в таблице они недоговаривают). Да и по габаритам уступают.
У PMOS-а будет расти порог. Если сделать высокосимметричные плечи токовых зеркал, то искажения полезут только при приближении порога к величине питания почти (если правильно все сделать).