MOSFET в параллельном включении, -какие параметры ухудшаются? Опции

[Alexeus]

для преобразователя питания, работающего от низкого напряжения (4-6в) хотелось бы минимизировать падение напряжения и получить большее КПД за счет параллельного подключения мосфет транзисторов, благо нужен один, а их два в корпусе (so-8). При этом уменьшится сопротивление открытого канала, что приведет к меньшему падению напряжения на нем и облегчит жизнь преобразователю, увеличится максимальный ток, который сможет пропустить транзистор. Другой вопрос, какие параметры ухудшатся? ведь емкости переходов сложатся и возрастут. Повлияет ли параллельное включение на время tON мосфета и на пороговое напряжение открытия затвора?

Сообщение отредактировал Alexeus - Jun 8 2010, 04:59

[Alexeus]

отлично! постараюсь попробовать все варианты. Спасибо большое.

Кстати, сам преобразователь запустился. почему то расчет индуктивности под конкретный транзистор не удался - получилось расчетное значение мин=54мкГн для Vin=4в, 200мкГн для Vin=6.5в. (транзистор FDS6961 http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/...d/FDS6961A.pdf). Питал от компьютерного БП 5.22в. при индуктивности катушки 220мкГн преобразователь смог максимум выжать 9.6в из расчетных 12в. При индуктивности 100мкГн напряжение получилось около 10.3в. На 12в вышел банальной индуктивностью из даташита 47мкГн. Зачем, спрашивается, формулы расчета индуктивности приведены...

Помучал пороговое напряжение отключения. Выяснилось что есть гистерезис 1.2в. На LBO замыкается земля при пороге напряжения, а снимается только при повышении напряжения на 1.2в выше заданного порога.

Сообщение отредактировал Alexeus - Jun 10 2010, 07:12