стойкость флэши к рентгену низких энрегий, кто-нибудь знает? Опции

[dac]

извиняюсь если вопрос глупый, я не в теме.
нужно прикрутить мк к рентгену, соотвественно имеем FLASH и SRAM.
работа постоянная круглосуточная под изулчением энергией до 50кэВ, но интенсивность оценить не могу даже приблизительно - устройство сбоку от излучателя и померить там возможности нет. примерно в тех же условиях, только позади излучателя (соответсвенно интенсивность облучения гораздо ниже) ОУ, диоды и биполярные транзисторы прекрасно себя чувствуют.

единственное, что встречал упоминание, что пороговая энергия которая влияет на электронику начинается от 250кэВ. так ли это?

[SFx]

оберните флешку свинцовой фольгой )))

[Tanya]

оберните флешку свинцовой фольгой )))

При таких энергиях и алюминиевой хватит. Насколько я понимаю, вопрос в долговременной надежности. Поэтому нужно знать интенсивность в самых плохих местах.