Усилители, Принцип работы Опции

[aptr0n]

Здравствуйте!!! :-)
Если не возражаете, я буду здесь выкладываться схемы усилителей и говорить, что мне в них не понятно. А от Вас прошу помощи разобраться в этом.




За счет таких резисторов создается смещения на базе транзитора Q1? Или там вообще нет смещения?
Заранее спасибо.

Сообщение отредактировал aptr0n - Jul 8 2010, 18:32

Эскизы прикрепленных изображений

 

[yakub_EZ]

Порылся в загашниках и нашел спайс модель на 2Т325В
.model 2T325B NPN (Is=49.6f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=70 Bf=313.5 Ne=1.358 Ise=49.56f Ikf=.135 Xtb=1.5 Br=4 Nc=2 Isc=100p Ikr=20m Rc=20 Cjc=2.5p Vjc=.72 Mjc=.333 Fc=.5 Cje=2.5p Vje=.75 Mje=.333 Tr=250p Tf=516.5p Itf=0 Vtf=0 Vceo=15 Icrating=0.06 mfg=USSR)

Собрав на ней схему в LTSpice получил импеданс около 68 Ом. Уменьшив резистор базы с 2к до 1к3 получил искомые 75 Ом. Нагрузку усилителя взял 75 Ом. Ток коллектора - 1,06 мА

Эскизы прикрепленных изображений

 

[Alexashka]

Собрав на ней схему в LTSpice получил импеданс около 68 Ом. Уменьшив резистор базы с 2к до 1к3 получил искомые 75 Ом. Нагрузку усилителя взял 75 Ом. Ток коллектора - 1,06 мА

Чтото мне подсказывает, что усиление у вашей схемы будет близко к единице
Какой тогда в ней смысл?

Проверил расчет на примере схемы, считая, что Iк0=1.06мА, а Uкэ0=2.5В. Расчетные номиналы не совпали...

А вы про диод в базовом делители не забыли?

[Caa]

А вы про диод в базовом делители не забыли?

Диод в прямом направлении, я думаю, можно считать сопротивлением в максимум 100 Ом (это с очень большим запасом).

А главное, что я "забыл" (к сожалению никто меня даже не поправил ) - это что у транзистора подключенного по схеме с общей базой выходными характеристиками являются Ik(Uкб) (а не Iк(Uкэ) как в схеме с общим эмитером), а входными Iэ(Uэб) (а не Iб(Uбэ) как в схеме с общим эмитером). Соотвественно, не имея их, я не могу провести ни нагрузочную прямую и выбрать рабочую точку...Я с трудом откопал ВАХ для транзистора КТ325 по схеме с ОЭ.

Может подскажете чего-нибудь - как быть?

[Alexashka]

Диод в прямом направлении, я думаю, можно считать сопротивлением в максимум 100 Ом (это с очень большим запасом).

А главное, что я "забыл" (к сожалению никто меня даже не поправил ) - это что у транзистора подключенного по схеме с общей базой выходными характеристиками являются Ik(Uкб) (а не Iк(Uкэ) как в схеме с общим эмитером), а входными Iэ(Uэб) (а не Iб(Uбэ) как в схеме с общим эмитером). Соотвественно, не имея их, я не могу провести ни нагрузочную прямую и выбрать рабочую точку...Я с трудом откопал ВАХ для транзистора КТ325 по схеме с ОЭ.

Может подскажете чего-нибудь - как быть?

какие 100 Ом?! вы о чем это? на диоде упадет примерно столько же сколько на Uэб (0,6В примерно).

а потом какая разница Uкб или Uкэ, ведь эмиттерный потенциал отличается от базового на отпределенную величину (примерно 0,6В), так что любая ВАХ которую найдете сгодится. Вам нужно просто узнать (по графику ВАХ) какое будет Uкэ при таком-то токе коллектора (который вы выбираете чтобы получить Uкэ хотябы =2В и имея по килоому в цепях эмиттера и коллектора. т.е 5В - 2k*Ik = 2, -> Ik=1,5мА), при этом вы ставите в эмиттере и коллекторе по килоомнику и автоматом получаете потенциалы на всех точках. Ну базовый потенциал можно дополнительно уточнить исходя из ВАХ база-эмиттерного перехода.
Далее рассчитываете базовый делитель зная какой потенциал на нем должен быть и обеспечивая ток делителя на порядок больше базового (его берете по макс.значению деля Ik на минимальный бетта из справочника). Все.

Блин ерунду написал, извиняюсь, ВАХ выхода нужна чтобы оценить какой будет базовый ток при определнных соотношениях Uкэ и Ik. Но это типовые зависимости, а для надеги лучше базовый ток рассчитать по минимальной бетта.