В родной схеме конечно есть защитные диоды и последовательно с нагрузкой и параллельно нагрузке и каналу транзистора. Диоды то целы, а вот снабберной цепи классической параллельно каналу транзистора в виде конденсатора и резитора не было. Я ее на время экспериментов установил, но это лишь повлияло на скорость включения транзистора - она уменьшилась. Нагрев увеличился а вот выбросы вообще исчезли. Частота коммутации скорее всего 1 кгц так как силовой транзистор из Igbt модуля относиться к стандартным. Я попробую выложить схему хотя сомневаюсь что она что то даст, там считай почти нет деталей. Транзистор родной был установлен на ребристом радиаторе размером в длину 300мм в высоту 70 и в ширину 70мм. И продувался в месте с основным силовым тиристорным мостом вентилятором на 3000 об.мин. Там один только вентилятор на 1кВт мощности. Это привод ABB постоянного тока. Силовой мост выполнен на класических тиристорах а вот модуль возбуждения сделали на транзисторе. Мощность привода 400кВт. Стремно даже проводить эксперементы на транзисторах а с тиристорным приводом вообще не хочеться связываатсья атк как очень сложные они
|