Тонкопленочные транзисторы на аморфном кремнии, пара вопросов Опции

[BarsMonster]

Тут имеются ввиду TFT на аморфном кремнии / a-Si:H

1) Насколько у них все плохо с параметрами? Наверное я плохо искал, но не нашел насколько именно.
2) Подскажите литературу, где можно почитать про TFT на аморфном кремнии и вообще.
3) Почему обычно пленки наращивают из силана, а не прямым испарением кремния в вакууме, и где про это можно почитать :-)

В очередной раз заранее прошу прощения за нубские вопросы :-)

Сообщение отредактировал BarsMonster - Sep 16 2010, 15:56

[BarsMonster]

Эх, жаль нет ответов пока...

Из того что раскопал - очень большое кол-во повреждений кристаллической решетки, что частично компенсируется остающимися кусками водорода которые собственно остаются от неполного распада силана. Потому если делать из силана - все само собой получается (нужно только давление и мощность плазмы подбирать).

По характеристикам - Vgs сильно выше обычных полевиков, и параметры плывут со временем(сотни-тысячи секунд) из-за кучи настабильных обрубков в кристаллической решетке.

Сообщение отредактировал BarsMonster - Sep 22 2010, 17:29