Аналоговые ключи с малой инжекцией заряда Опции

[Herz]

Ранее мне как-то не приходилось заботиться о количественном влиянии этого параметра. Ныне, проектируя модулятор для lock-in усилителя, прикинул реальные пульсации выходного сигнала, связанные с коммутацией. Ужаснулся: это огромные значения. Для распространённых ключей на ёмкости нагрузки в 1нФ имеем типичные пульсации в пару десятков милливольт и более. Есть ли техника компенсации этого эффекта? Поделитесь мыслями, пожалуйста.

[Herz]

Лучше замыкать диод ключом. Тогда можно забыть об инжекции, да и стабильность работы не будет нарушаться.

Спасибо, это радикальный способ. Именно с него я и хотел начать, но подумал, что импульсная нагрузка для источника тока - тоже не очень хорошо...
Впрочем, наверное, лучший вариант.

Вы вот боретесь за высокую точность, а базовый ток в Вашем генераторе... Может быть... еще один транзистор?

Не за абсолютную же. Базовый ток может слегка меняться от коллекторного напряжения, но оно сравнительно стабильно.

Или базу... Все равно, резистор бы еще добавить..

Базу, мне кажется, существенно хуже. А резистор куда?

[DS]

Спасибо, это радикальный способ. Именно с него я и хотел начать, но подумал, что импульсная нагрузка для источника тока - тоже не очень хорошо...
Впрочем, наверное, лучший вариант.

Базу, мне кажется, существенно хуже. А резистор куда?

Мне когда надо было быстро переключать лазеры в чипе, такая мысль тоже показалась радикальной, но в итоге я ее и реализовал.

Базу хуже - ОУ будет выходить из линейного режима, и будут выбросы тока. Для диода еще ничего, для лазера - смертельно.

Инжекция происходит в момент изменения состояние с открытого на закрытый. Самое паршивое, что у МОП чем меньше сопротивление во включенном состоянии, тем больше емкости затвор- исток и хатвор сток. С вытекающими последствиями.

Это если коммутируется схема с низким выходным сопротивлением на высокоомный вход. Если оба сопротивления относительно большие - пролезает весь импульс.