Тонкопленочные транзисторы на аморфном кремнии, пара вопросов Опции

[BarsMonster]

Тут имеются ввиду TFT на аморфном кремнии / a-Si:H

1) Насколько у них все плохо с параметрами? Наверное я плохо искал, но не нашел насколько именно.
2) Подскажите литературу, где можно почитать про TFT на аморфном кремнии и вообще.
3) Почему обычно пленки наращивают из силана, а не прямым испарением кремния в вакууме, и где про это можно почитать :-)

В очередной раз заранее прошу прощения за нубские вопросы :-)

Сообщение отредактировал BarsMonster - Sep 16 2010, 15:56

[azmun]

3. Почему обычно пленки наращивают из силана, а не прямым испарением кремния в вакууме, и где про это можно почитать :-)

Ключевое слово обычно... )
Плазмохимическое разложение силана (PECVD) - традиционный способ получения пленок а-Si:H. В ВЧ разряде молекулы силана в результате столкновений с горячими электронами диссоциируют на радикалы и потом эти продукты разложения осаждаются на подложку. Т.е. механизм доставки радикалов чисто диффузионный. В ряде исследований было показано что важную роль в формировании пленки а-Si:H играет радикал силил - SiH3. Из основных достоинств метода - относительная простота и высокое качество пленок. Главный недостаток - низкие скорости осаждения. Скорость пропорционально зависит от удельной мощности вкладываемой в разряд. Однако при больших мощностях качество пленок ухудшается.

Есть ряд других методов - струйный плазмохимический, струйный с активацией газа электронным пучком и др., они преследуют цель повысить скорость осаждения за счет направленного потока продуктов на подложку.

Аморфный кремний копают уже 40 лет... и полного понимания в вопросе формирования пленок на сегодняшний день, по моему, еще нет.

Из литературы можно указать следующие книги (там есть главы про приборы на основе а-Si:H):

1. Аморфные полупроводники (под ред. Бродски) М.: Мир, 1982.
2. Джоунопулос Дж., Люковски Дж. Физика гидрогенизированного аморфного кремния: Вып.1,Вып.2 1987.