Туннелирование и пробой Опции

[BarsMonster]

Вопрос о масштабах:
Нашел что пробой SiO2 начинается на 0.8 - 1.1 V на нм, а туннелирование через 1нм SiO2 - 10^6 А/м2 даже при 1 вольте.

Или я ошибаюсь где-то, или устройства на тунельных эффектах просто не должны работать :-)
Что можно почитать по этой теме?

Сообщение отредактировал BarsMonster - Oct 2 2010, 23:10

[zzzzzzzz]

Вопрос о масштабах:
Нашел что пробой SiO2 начинается на 0.8 - 1.1 V на нм, а туннелирование через 1нм SiO2 - 10^6 А/м2 даже при 1 вольте.

Весьма популярная книжка по технологии была в свое время - С.Зи. С тех пор более качественного учебника по общим вопросам не встречал.
Пробой могу подтвердить, - на практике 500 А^о затворы держат около 50 В. Т.е. 1 В на 1 нм.
А с туннелированием Вас как-то немного обманывают. 1мкА/1мкм² случится где-то в районе порядка десятков вольт. Т.е, например, для тех же 50 нм ток в 20 нА можно ожидать где-то в районе 30 В. Естественно, всё определяется качеством окисла. Для очень тонких окислов, правда, работает уже другая физика. Там влияние дефектов окисла и поверхностных состояний значительно сильнее. Возможно, речь шла как раз о толщинах порядка единиц нм.

[BarsMonster]

Возможно, речь шла как раз о толщинах порядка единиц нм.

Да, в данном случае речь именно о слое в 1нм, понятно что с ростом расстояния туннелирование очень быстро и нелинейно падает.

[zzzzzzzz]

Да, в данном случае речь именно о слое в 1нм, понятно что с ростом расстояния туннелирование очень быстро и нелинейно падает.

Ну, для таких толщин, в несколько межатомных расстояний, остается верить тому, что говорят экспериментаторы. Так как это слабо поддается описанию в классическом виде. Сплошь - чудеса, поверхностные и краевые эффекты. Физика с математикой туда пока заглядывают так, поглядеть. И уползают обратно.