Туннелирование и пробой Опции

[BarsMonster]

Вопрос о масштабах:
Нашел что пробой SiO2 начинается на 0.8 - 1.1 V на нм, а туннелирование через 1нм SiO2 - 10^6 А/м2 даже при 1 вольте.

Или я ошибаюсь где-то, или устройства на тунельных эффектах просто не должны работать :-)
Что можно почитать по этой теме?

Сообщение отредактировал BarsMonster - Oct 2 2010, 23:10

[zzzzzzzz]

Да, вот немножко подробнее: http://citforum.ru/hardware/microcon/reactor/

Да понятно, что это малоисследованная область.
Но, и понятно, что проблемы со временем решат.

А насчет туннелирования, - когда-то наткнулись на эффект горячих электронов в стоке NMOS.
Погоревали, и придумали LDD. Так и здесь какой-нибудь двухслойный "пирог" сочинят, и кранты туннелированию.

[DS]

Погоревали, и придумали LDD. Так и здесь какой-нибудь двухслойный "пирог" сочинят, и кранты туннелированию.

На таких расстояниях становится все равно, вакуум или вещество. Начинает стучать расстояние в показателе экспоненты, определяющей вероятность туннелирования. Так что придется придумывать, как повышать k при неизменной толщине - тут вариантов нет.

[zzzzzzzz]

На таких расстояниях становится все равно, вакуум или вещество. Начинает стучать расстояние в показателе экспоненты, определяющей вероятность туннелирования. Так что придется придумывать, как повышать k при неизменной толщине - тут вариантов нет.

Варианты есть всегда. В статейке из предыдущего топика об этом тоже есть.
Могу навскидку придумать одно из потенциальных решений.
Например, поместить чип в сильное поле с нужным вектором. Разрешив, таким образом, только квази-горизонтальные траектории электронов.

Свойства сверхтонких пленок - еще не паханное поле. У многих материалов обнаруживаются феноменальные эффекты. Например, про графен только ленивый не слышал.

А вообще, чего это мы так закапываемся? Не наше это поле-огород ...