Вопросы по технологиям изготовления ИС, дабы не плодить темы Опции

[BarsMonster]

Решил создать это тему для всех вопросов, а то так я темами весь форум заполню :-)

Очередные вопросы (сквозная нумерация, чтобы не путаться кто на что отвечает):

1) Почему когда выполняют ионную имплантацию/травление наращивают SiO2 специально для маскирования ненужных областей?
Неужели слой фоторезиста плохо защищает, даже если его толщина в 2-3 раза больше SiO2?

2) Где и что можно почитать по оптике используемой в (иммерсионной) фотолитографии и high-NA?

Сообщение отредактировал BarsMonster - Oct 30 2010, 13:47

[BarsMonster]

6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем".
Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-)

[BarsMonster]

6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем".
Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-)

Постепенно вопрос проясняется:
золото с кремнием образует противные интерметаллические соединения уже при 300C, да и травить тяжко :-)
серебро - как и медь опасный источник загрязнений в кремнии, не держиться за SiO2. Но в отличии от меди возможно плазменное травление в CF4.

7) Неужели RC константа такое влияние на производительность оказывает?
Как затворы из поликремния - так никто нос не воротил, несмотря на сопротивление.
А тут лишние пара микро/миллиомм (по сравнению с алюминием) и уже трагедия :-)

По электромиграции - да, бесспорный выигрыш есть.