Решил создать это тему для всех вопросов, а то так я темами весь форум заполню :-)

Очередные вопросы (сквозная нумерация, чтобы не путаться кто на что отвечает):

1) Почему когда выполняют ионную имплантацию/травление наращивают SiO2 специально для маскирования ненужных областей?
Неужели слой фоторезиста плохо защищает, даже если его толщина в 2-3 раза больше SiO2?

2) Где и что можно почитать по оптике используемой в (иммерсионной) фотолитографии и high-NA?

1) Окисел как правило не наращивают специально, он получается достаточно толстый например при разгонке кармана. А дальше просто вскрывают активные области под транзисторы и этот окисел автоматически становится естественной маской.

3) В установках плазменного травления/легирования - там по одной установке на каждое рабочее вещество, или одна установка на все? Что тогда делают с остатками веществ с прошлых операций - они ведь наверняка "налипают" на стенки...

Действительно налипают и потом осыпаются на пластины в виде грязи создают дополнительные дефекты) Но стараются чистить или пластину переворачивают, вобщем я слышал много баек на эту тему) может кто что конкретное расскажет, самому интересно)

Так оно не только осыпаться должно, а во время следующей операции новые ионы будут выбивать старые атомы из стенок = загрязнение плазмы...

4) Есть ли софт попроще TCAD-а для моделирования одного транзистора, чтобы можно было нарисовать например его в разрезе и посмотреть как что работает (посроить ВАХ там, графики напряженности поля и т.д), точность - плюс/минус лопата устроит, гдавное чтобы можно было основательно со всем разобраться...

MicroTec. Можно 3D, 2D и 1D профили посмотреть, и ВАХ посчитать.

Есть доступный и здоровый от предрассудков дистриб где-то?
Интересно было бы покрутить.

У меня где то валяется старая версия, но она года 94 выпуска =) версия 3.10 чтоли. Сейчас вроде есть 4.х версия но она помоему мало чем отличается )) могу куда нибудь залить если найду

Жду в предвкушении.

5) Как отличается работа диодов шотки с кремнием легированным в n и p тип?

6) Почитал замечательную книжку - "Металлизация ультрабольших интегральных схем".
Однако остались вопросы: в чем проблемы использования серебра и золота для металлизации внутри схемы и контактов к транзисторам? Очевидно, что дело не в стоимости материалов :-)

Могу предположить что дело в конформности. Для алюминия уже все отлажено многолетним опытом проб и ошибок))

Извиняюсь, а что такое конформность в данном контексте?

конформность отражает качество заполнения канавок и ступенек, в данном случае металлом. Алюминий напылять проще чем золото при этом обеспечивается хорошее заполнение зазоров.

7) А наносят ли диэлектрики испарением в вакууме?
Температура кипения диэлектриков при околонулевом давлении хоть и выше используемых металлов (Al ~600, Ag/Au ~1000), но не выглядит фатальной (~1700C для SiO2)...
Понятно что какие-нибуть 10-20нм равно проще и надежнее вырастить из кремния, а вот 0.1-1um....

Постепенно вопрос проясняется:
золото с кремнием образует противные интерметаллические соединения уже при 300C, да и травить тяжко :-)
серебро - как и медь опасный источник загрязнений в кремнии, не держиться за SiO2. Но в отличии от меди возможно плазменное травление в CF4.

7) Неужели RC константа такое влияние на производительность оказывает?
Как затворы из поликремния - так никто нос не воротил, несмотря на сопротивление.
А тут лишние пара микро/миллиомм (по сравнению с алюминием) и уже трагедия :-)

По электромиграции - да, бесспорный выигрыш есть.

8) Какие вообще подзатворные диэлектрики используются, кроме SiO2?
А то уж больно муторно его выращивать...



Очень долго бился головой об гугол, но так и не нашел рабочую версию :-(

9) Кто может провести платный урок по workflow разработки ИС в Москве? :-)

Хочу чтобы показали следующий процесс: Берем простейшее устройство в VHDL (например a=a+45 по тактовому сигналу, а на выход), и доводим его до масок на самом популярном наборе софта.

По идее тут не слишком долго должно быть. Безусловно можно разобраться самостоятельно, но иногда лучше 1 раз увидеть :-)

На самом популярном - это, наверное, Synopsys. В России их представляет Alt-S (alt-s.ru).
Насчёт Cadence не знаю, вроде бы у них сейчас нет поддержки в России.

Меня не официальные курсы и поддержка интересуют, а посмотреть на систему в работе с человеком, который с ней работает, чтобы было определенное представление для дальнейших раскопок.

BarsMonster могу предложить учебные материалы в духе лабораторных работ, прочитал сделал, ни чего сложного. только определитесь с софтом: synopsys or cadence?

В таком случае буду смотреть обе, а там видно будет что лучше пойдет :-)

Для начала могу предложить книгу Digital VLSI Chip Design with Cadence and Synopsys CAD Tools. В ней более менее достоверно описан типичный маршрут проектирования с примерами. Правда не уверен, что все пойдет как по маслу. Самый сложный квест найти нужный софт(естественно все под линуксом). Cadence IC5.033 - моделирование, редактор для ручного ввода схем, редактор для рисования топологии.
Cadence soc Encounter - RTL в GDSII. Synopsys Design Compiler RTL to Gate синтез.
h__p://uploading.com/files/264252cm/DigitalVLSIChipDesign.rar/

10) Насколько верно то, что от утоньшения техпроцесса главный бонус в смысле скорости - уменьшение длины канала транзисторов.
И например если трензистор 1um x 1um но затвор 50нм, то работать будет как в "лучших домах", и даже лучше, т.к. чем чем больше ширина перехода тем меньше RC-задержка?

http://narod.ru/disk/3426611001/MT302.rar.html

А книга на паблике есть?

Спасибо, надежно припрятал, чтобы больше не терялось )
Жаль однако что в 64-х битной винде не работает, о времена... )

Как человеку имевшему в конце 80-х некоторое отношение к теме - тоже очень интересно, как и вообще
описание всей современной технологической цепочки в компактном виде (можно на английском)

На edaboard послали в ieee.
Там же затронута чертовски интересная тема о том, как именно плохеет транзисторам в присутствии загрязнений, вот если бы книгу по этому найти....

Наносят и испарением в вакууме. Я частенько пользуюсь "тупым" термически распыленным SiOx, но исключительно для изоляции сигналов. Для подзатворных диэлектриков в современных СБИС давно не используют SiO2, а ростят посредством ALD-метода диэлектрики с высокой эпсилон, типа Al2O3, HfO2, Gd2O3 и др...

Вообще ваши вопросы выглядят мягко говоря странными. Настоятельно рекомендую к прочтению S.M. Sze "Physics of semiconductor devices" 3ed, 2007, есть на gigapedia.org. Второе издание этой книги (в двух томах) издавалось в СССР и есть на русском языке.



Al2O3, HfO2 и другие. У нас, к примеру был экспериментальный реактор для извращений типа оксид скандия. Работало хорошо, но все high-k диэлектрики очень нежные, не все выживают processing.

У нас - это где если не секрет? :-)
Книгу поищу, спасибо.

www.imec.be


зарегестрируйтесь на gigapedia.org - это бесплатно, а литературы там по физике пп-приборов, микроэлектронике/технологиям и физике твердого тела море! Причем постоянно новье выкладывают толковые парни.

9) Насколько более чуствительны к загрязнениям MOSFET-ы по сравнению с биполярными?
Слышал про ужасы от загрязнения натрием...

Все еще ищу что почитать по загрязнениям и их влиянию...