Предлагаю измененный вариант платы управления IGBT. Поясню некоторые моменты на плате: добавлен диод VD6 и резистор R7 для защиты от отрицательного напряжения на выводе 5 драйвера D1. Дохнут они наравне с транзисторами. Думаю поможет. Добавил саппрессоры VD10, VD11 - для защиты от перенапряжений перехода ЗЭ. Резисторы R3 и R4 оставил и уменьшил их номинал до 910 Ом - надо проверять на рабочей плате. Для ускорения времени закрытия транзистора ввел дополнительный резистор R6, он только только в верхнем плече - согласно рекомендации из ir2110_rus.pdf. Чесались руки добавить саппрессоры параллельно диодам VD4 и VD5, но не стал этого делать. Что можете сказать по поводу новой схемы. Господа руководители - а где возможность загрузки своих файлов?
Сообщение отредактировал LEXIS - Jan 21 2011, 14:25
|