В прошлой своей теме я жаловался на то, что в SDRAM не шьется программа. Шьется, но похоже при выполнении каких то быстрых операций при работе с памятью отладчик вылетает с ошибкой. Если при присвоении в цикле заполнения какого либо массива ставить NOP, то все работет. Без NOP не пашет. Похоже запись должна выполняться медленнее. Память Samsung K4S561632J. Чип LPC3250. Есть у кого нормальный код инициализации данной памяти? Частота 208МГц, HCLK 104МГц.
В прошлой своей теме я жаловался на то, что в SDRAM не шьется программа. Шьется, но похоже при выполнении каких то быстрых операций при работе с памятью отладчик вылетает с ошибкой.
Опубликовал тут набор тестов для платы ARMGeoSpyder2, там есть тест DDR RAM и процедура прецизионной калибровки таймингов контроллера DDR в LPC3250. Тестирование платы на LPC3250