Трансформатор для флая, расположение вторичек Опции

[pr0m]

Всем привет.

Такой вопрос - имеется флай (Fsw~130kHz, Pout.max~70W, 2 выхода, один - основной - ООС, другой нерегулируемый на небольшой ток и мощность ~2.5W, ну 3-я обмотка bias для ШИМ-а - к ней интереса нет), причём его работу в смысле нагрузки можно условно поделить на 2 режима:
1) основной, в котором работает 99.(9).% времени, нагрузка до 5Вт
2) критический (к выходу подгружаются некие мощные исполнительные устройства), мощность - максимальная.
Каким образом правильней расположить обмотки для основного и дополнительного (нерегулируемого) выходов, чтобы минимизировать увеличение напряжения на нерегулируемом выходе при увеличении мощности до максимальной, т.к. нерегулируемый выход идёт на линейный пост-регулятор, кой сильно будет калиться, да и напряжение на его входе (нерег. выход) может подбираться к неприличному.

Сейчас расположено так: Первичка-основная-дополнительная-bias. Сердечник EF25 две половинки с зазором по 0.5мм на средней ноге + по 0.2мм на внешних ногах. Располагал так из соображения максимальной связи доп. обмотки с основной, и как следствие - следование доп. напряжения за основным. Но, видимо,в большей степени это справедливо для прямоходовика (и его дросселей в ССМ).
Для флая, наверно, нужно исходить из того, как, с учётом индуктивностей рассеяния, коэф-в связи между обмотками, перераспределяется запасённая на прямом ходу энергия? Если так, то правильно ли я думаю, что доп. обмотку лучше расположить самой верхней, и тодга ей будет доставаться меньше, чем в текущем варианте намотки, при макс.мощности во 2-м режиме работы.

Забыл сказать: флай работает в DCM до макс. мощности включительно..

Сообщение отредактировал pr0m - Feb 17 2011, 17:27

[AlexeyW]

На первый взгляд кажется, что нужно минимизировать индуктивность рассеяния между этими самыми двумя обмотками. Если напряжения невелики (какие на той и другой обмотке?), то можно их сделать в одном слое, и в любом случае они должны занимать одинаковый сектор (если это тор). Для EF, кажется, Вы все правильно описали.


Во-вторых, нужно минимизировать и индуктивность рассеяния с первичной обмотки на силовую, а также поставить не очень маленькую емкость демпфера. По идее, перенапряжение на нерегулируемом выходе в принципе не может быть больше, чем выброс на первичке в начале обратного хода - если он невелик, невелико и перенапряжение.

Сообщение отредактировал AlexeyW - Feb 17 2011, 23:14

[pr0m]

На первый взгляд кажется, что нужно минимизировать индуктивность рассеяния между этими самыми двумя обмотками. Если напряжения невелики (какие на той и другой обмотке?), то можно их сделать в одном слое, и в любом случае они должны занимать одинаковый сектор (если это тор). Для EF, кажется, Вы все правильно описали.


Во-вторых, нужно минимизировать и индуктивность рассеяния с первичной обмотки на силовую, а также поставить не очень маленькую емкость демпфера. По идее, перенапряжение на нерегулируемом выходе в принципе не может быть больше, чем выброс на первичке в начале обратного хода - если он невелик, невелико и перенапряжение.

Вот и я поначалу исходил из этого предположения (тесно связать основную и дополнительную).
Вчера перемотал: Первичка-Основная-биас-Дополнительная. Витки всех обмоток распределены по всей ширине каркаса. Результаты стали намного лучше (было с 15 до 28В в первом варианте, стало с 16 до 21В теперь). Думаю, Вы правы о поводу ёмкости демпфера: его ёмкость у меня маловата на полной мощности, и в момент открывания диодов выпрямителей довольно большая иголка в начале от Llk. Попробую увеличить ёмкость-уменьшить резистор в нём - послежу за изменениями, отрапортую.
А вот почему стало лучше во втором варианте - видимо от того, что доп. обмоткат, расположенная теперь дальше всех от первички, в эквив. схеме имеет перед выпрямителем макс. индуктивность рассеяния, к-я съедает выброс напряжениz от Llk. А то он (доп.выход) на больших токах в пиковый детектор превращается...