реклама на сайте
подробности

 
 
> ХЭЛП ХЭЛП по IRG и HCPL3120, ХЭЛП ХЭЛП по IRG и HCPL3120
taselectronix
сообщение Mar 7 2011, 08:34
Сообщение #1





Группа: Новичок
Сообщений: 7
Регистрация: 7-03-11
Пользователь №: 63 442



Доброе время суток, господа.
Необходима консультация и помощь специалистов и просто любителей в области высоких
ИГБТ технологий. Есть задача сделать несколько одинаковых развязанных гальванически
мощных токовых ключей с минимальными потерями на тепло. Рабочее напряжение 12 вольт
от аккумуляторов 100 ампер/час. Полевые отпадают в следствие наличия обратного диода
и специфики работы схемы. Приблизительно - в схеме 2 аккумулятора которые должны
коммутироваться токовыми ключами в последовательное соединение и параллельное с частотой 1 к гц.
Рабочая частота - 500-1000 гц, скважность 2
, ток в импульсе 50-80 ампер. Предполагаемая схема:
DC\DC преобразователь для гальванической развязки всех ключей - драйвер HCPL3120 -
четыре транзисторных ключа в параллель. Транзисторы предположительно трэнч (меньше потери и
входная емкость), скажем IRG6S320 (Ic=50 ампер при 20 градусах, 1.5 вольт падение напряжения
Qg = 40 nC, Epulse = 250 мкДж).
Вопрос собственно: какой затворный резистор ставить по графику, на какую мощьность выбирать DC/DC преобразователь
приблизительно для питания драйвера (2-2.5 ампер пикового тока) управляющего 4 IGBT транзистора трэнч или обычных
с коллекторным током 50-70 ампер; какое тепловыделение ориентировочно, проканает ли за радиатор печатная плата
на металлическом основании. Потянет ли HCPL3120 непосредственно 4 транзистора в параллель.
Спасибо за советы.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
ZVA
сообщение Mar 7 2011, 09:24
Сообщение #2


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 284
Регистрация: 10-10-05
Из: Киев
Пользователь №: 9 440



taselectronix, на мой взгляд Вы ошибочно хотите использовать IGBT в таком низковольтном приложении.
Включение современных полевых транзисторов (Ron <= 1 мОм) последовательно, позволит уменьшить статические потери более чем на порядок по сравнению с Вашим решением.
Прикрепленный файл  AC_SWITCH.bmp ( 45.34 килобайт ) Кол-во скачиваний: 91
Go to the top of the page
 
+Quote Post
taselectronix
сообщение Mar 7 2011, 11:52
Сообщение #3





Группа: Новичок
Сообщений: 7
Регистрация: 7-03-11
Пользователь №: 63 442



Цитата(ZVA @ Mar 7 2011, 13:24) *
taselectronix, на мой взгляд Вы ошибочно хотите использовать IGBT в таком низковольтном приложении.
Включение современных полевых транзисторов (Ron <= 1 мОм) последовательно, позволит уменьшить статические потери более чем на порядок по сравнению с Вашим решением.
Прикрепленный файл  AC_SWITCH.bmp ( 45.34 килобайт ) Кол-во скачиваний: 91


Я так думаю это полевики необходимы со встроенным мощным диодом?
Или на схеме внутренний паразитный диод?
поделитесь ссылкой на схему
Спасибо!

еще момент - по приложенной схеме постоянно будет работать транзистор и диод соседнего транзистора
падение напряжения на диоде 1.5 вольт получается будет нагрев диода и приличный если нагревом транзистора условно пренебречь?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ZVA
сообщение Mar 7 2011, 12:05
Сообщение #4


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 284
Регистрация: 10-10-05
Из: Киев
Пользователь №: 9 440



Цитата(taselectronix @ Mar 7 2011, 13:52) *
поделитесь ссылкой на схему
.......
еще момент - по приложенной схеме постоянно будет работать транзистор и диод соседнего транзистора
падение напряжения на диоде 1.5 вольт получается будет нагрев диода и приличный если нагревом транзистора условно пренебречь?

http://valvolodin.narod.ru/articles/Ir/Dt/dt94-5.pdf
Обратите внимание на абзац в документе где говориться о том, что канал МОП ПТ представляет собой двунаправленный ключ. Диод работать не будет.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 28th July 2025 - 13:32
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01379 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016