измерение нелинейного вх. импеданса СВЧ транзистора Опции

[Alex_IC]

Доброго времени суток!

Возникла необходимость провести измерение входного импеданса LDMOS СВЧ транзистора в нелинейном режиме (Рвх около 1 Вт). Думаю сделать это с помощью измерительной линии. Проводил ли кто нибудь такие измерения? Какие могут быть "подводные камни"? Может это вообще по другому надо делать, тогда как?

[khach]

Кстати, до НЕЛИНЕЙНОГО импеданса мы то еще и не добрались, застряли на измерении линейного. А вообще то обычные векторные нетворканалайзеры при сильном сигнале меряют не усредненные S-параметры, а параметры для какого то определенного фазового сдвига между тестовым сигналом и гетеродинным сигналом СВЧ самплеров. Я говорю о классической схеме VNA c тремя SPD (sampling phase detector). Для корректного измерения НЕЛИНЕЙНЫХ S-параметров VNA должен обеспечивать плавную перестройку по фазе момента срабатывания SPD. Кто какие модели VNA знает, которые имеют такой режим?

[sp1noza]

Кстати, до НЕЛИНЕЙНОГО импеданса мы то еще и не добрались, застряли на измерении линейного. А вообще то обычные векторные нетворканалайзеры при сильном сигнале меряют не усредненные S-параметры, а параметры для какого то определенного фазового сдвига между тестовым сигналом и гетеродинным сигналом СВЧ самплеров. Я говорю о классической схеме VNA c тремя SPD (sampling phase detector). Для корректного измерения НЕЛИНЕЙНЫХ S-параметров VNA должен обеспечивать плавную перестройку по фазе момента срабатывания SPD. Кто какие модели VNA знает, которые имеют такой режим?

Не уверен что до конца понял о чем речь в этом посте. Но самый крутой нелинейный анализатор, о котором я слышал, это:
http://193.109.184.8/products.htm
подробнее:
http://193.109.184.8/pdf/productpresentation.pdf

С его помощью измеряются выходные и входные токи и напряжения в зависимости от времени (делим U(t)/I(t) и вот входной импеданс Z(t)!). Еще можно нагрузочную характеристику измерять, в зависимости от времени, мощности, импедансов (если тюнеры есть). Измерения во временной области дают наиболее полную информацию о транзисторе.

Есть еще PNA-X и X-параметры: http://www.home.agilent.com/agilent/produc...amp;cmpid=21255

Не знаю, что вы имели подразумевали под термином нелинейный импеданс, но в моем представлении это импеданс транзистора при воздействии большого сигнала. При измерении анализатором у нас получается усредненная точка, хотя на самом деле это не точка, а область значений импедансов (если отобразить на диаграмме Смита), т.е. будет зависимость от времени (или от фазы тестируемого сигнала). Наиболее полно, наверно, это можно измерить только во временной области. Менее полно при помощи систем с тюнерами.


Мне кажется для построения нелинейной модели хватит и S-параметров в режиме большого сигнала. Лучший критерий для модели - это практика!

[Transcend]

Мне кажется для построения нелинейной модели хватит и S-параметров в режиме большого сигнала. Лучший критерий для модели - это практика!

S-параметры не учитывают изменения при разных входных мощностях.
Возможно влияет температура и смещение на линейность.
Практика имеет смысл, если есть понимание процессов.

[sp1noza]

S-параметры не учитывают изменения при разных входных мощностях.
Возможно влияет температура и смещение на линейность.
Практика имеет смысл, если есть понимание процессов.

Да они и не должны по определению. Потому что S-параметры - это малосигнальные параметры, то есть измеряются в режиме малого сигнала. Большесигнальные S-параметры это измерение S-параметров "на фоне" большого сигнала, т.е. это все равно линейные вещи. Так как сказать, "линеаризация", так как с линейными вещами удобнее работать. По крайней мере они отражают как изменяются значения элементов эквивалентной схемы транзистора в режиме большого сигнала. Как знать, может это и нужно автору темы.

Что такое смещение на линейность?

У меня есть опыт построения нелинейных моделей. Обычно использовались выходные и входные ВАХ, S-параметры при разных напряжениях смещения, зависимость выходной мощности от входной. Вроде все нормально было. Ну а буржуи обычно используют еще S-параметры и ВАХ в импульсном режиме, load-pull и прочее. Про измерительные линии для измерения нелинейного входного импеданса транзисторов для построении моделей не слышал.

[Transcend]

Что такое смещение на линейность?

Вот это:

S-параметры при разных напряжениях смещения

Про измерительные линии для измерения нелинейного входного импеданса транзисторов для построении моделей не слышал.

Все верно, линии предназначены для измерения напряжения внутри "себя", а нелинейный импенданс он внутри транзистора находится - можно только по косвенным "приметам" смоделировать. Вы же не сможете измерительную линию внутрь транзистора впихнуть?
Поэтому создаются почти линейные условия "в наружных точках" измерений, а на основе этого моделируются нелинейные параметры внутри транзистора. Помоему все логично?