Отказы MJE13003, Опыт есть? Опции

[Burner]

Встречал ли кто MJE13003, которые отказывали(сгорали) в источниках через некоторое время? Без перегрева и токовой перегрузки. Мне вернули сгоревший БП с этим транзистором. Что думать? Мож., у этого MJE13003 была плохая герметичность корпуса, и он набрал влаги?

[pplefi]

Встречал ли кто MJE13003, которые отказывали(сгорали) в источниках через некоторое время? Без перегрева и токовой перегрузки. Мне вернули сгоревший БП с этим транзистором. Что думать? Мож., у этого MJE13003 была плохая герметичность корпуса, и он набрал влаги?

Если схема включения с общим эммитером, то за основу надо брать обратное напряжение коллектор-эммитер, а он по даташит 400в - это первое.
Второе-чтобы боротся с энергией вторичного пробоя данного транзистора, необходимо менять конструкцию чипа...в данном случае, я думаю вы нарвались на китайские чипы произведенные на монокремнии со встречной диффузией, самый дешовый вариант технологии, но не стойкий ко вторичному пробою..... ищите западные аналоги, там все должно быть нормально, но и стоить они будут намного дороже.....
Герметичность корпуса здесь непричем, кристалл заливается сверху влагозащитным компаундом

От разработчика чипов высоковольтных транзисторов

[Прохожий]

От разработчика чипов высоковольтных транзисторов

А что Вы можете сказать про диоды с большим временем восстановления при малых прямых токах и больших токах реверса?

[pplefi]

А что Вы можете сказать про диоды с большим временем восстановления при малых прямых токах и больших токах реверса?

А что вас конкретно интересует времена или пробой???????
В общих чертах!!!!
На любых диодах (даже диодах Шоттки), изготовленных на кремниевых пластинах (именно на Si), временем восстановлением заряда можно управлять путем соответствующих обработок(облучением высокоэнергетичными электронами или протонами, диффузией золота или платины) кремниевых пластин с чипами.
По желанию заказчика можно достигнуть - 20нс (минимальный предел времени для Si), но при данной обработке повышается Uпр, т.к. повышается сопротивление кремния.
Вот и получается, что палка об двух концах, кому-то подавай хорошие времена восстановления, а кому-то меньшее Uпр при соответствующем токе...как говаривал Горбачев: "конструкторам надо находить консенсус при выборе диода"

[Прохожий]

А что вас конкретно интересует времена или пробой???????
В общих чертах!!!!
На любых диодах (даже диодах Шоттки), изготовленных на кремниевых пластинах (именно на Si), временем восстановлением заряда можно управлять путем соответствующих обработок(облучением высокоэнергетичными электронами или протонами, диффузией золота или платины) кремниевых пластин с чипами.
По желанию заказчика можно достигнуть - 20нс (минимальный предел времени для Si), но при данной обработке повышается Uпр, т.к. повышается сопротивление кремния.
Вот и получается, что палка об двух концах, кому-то подавай хорошие времена восстановления, а кому-то меньшее Uпр при соответствующем токе...как говаривал Горбачев: "конструкторам надо находить консенсус при выборе диода"

Нужен диод.
Такой, чтобы при токе а прямом направлении порядка 100 мА его время обратного восстановления было порядка 1...2 мкс при обратных токах восстановления в десятки ампер.

[pplefi]

Нужен диод.
Такой, чтобы при токе а прямом направлении порядка 100 мА его время обратного восстановления было порядка 1...2 мкс при обратных токах восстановления в десятки ампер.

Это уже не диод, а стабилизатор тока какой-то... может аналог есть, а то ТЗ витееватое получается !!!!