Как правильно производить расчёт транзистора в режиме по постоянному току?
Для прикидочного (грубого) расчета вполне хватает двух формул и одного конкретного значения. I=U/R - закон имени Георга Ома Ik=Ib*hfe - зависимость тока коллектора от тока базы Ube=0,65V - падение на переходе Б-Э кремниевого транзистора, при условии, что он находится в линейном режиме Этого для расчета вполне достаточно.
В нелинейном - режиме отсечки или режиме насыщения - естественно может отличаться. Ube зависит и от температуры и от тока эмиттера. Но я же сразу уточнил, что значение этого параметра приведено для "грубого" расчета линейного режима транзистора по постоянному току. Зачем цепляетесь?
Расчёт транзистора
Mar 28 2011, 19:45
Может, лучше так: Ube≤0,65V для Б-Э перехода n-p-n кремниевого транзистора? Или так: Ube прямосмещённого перехода ≈ 0,65V?
Просто подумалось, что в насыщении тоже примерно те же 0,65V останутся, если грубо. Хоть и не линейный режим уже.
