Трассировка LVDS во внутр слоях, Не получается требуемое сопротивление Опции

[Digi]

Пытаюсь развести дифф пары. Rdiff=100 Ом. Параметры платы
TOP
prepreg 0.100
GND
Core 0.125
int1
prepreg 0.100
GND
.
.
.
Core 0.125
GND
prepreg 0.100
BOTTOM

Так вот на TOP и BOTTOM сопротивление получается как надо 0,2 зазор, 0,15 тольщина проводника, а вот во внутренних слоях получается засада: при толщине дорожки 0,1 и зазоре 0,25 сопротивление около 80 Ом. Как быть ? И должно-ли при таких параметрах платы получиться 100 Ом ?

[Uree]

Собирайте сигнальные слои в пары между плэйнами - можно неплохо уменьшить общее число слоев:
- на 10-ти слойке 4 сигнальных плюс топ/боттом
- на 12-ти 6 сигнальных плюс наружные.
Уменьшая число слоев увеличиваете толщину препрегов(ядер, не суть) -> уменьшаете общие размеры пары за счет уменьшения внутреннего ее зазора -> меньшей площади хватает для трассировки большего числа пар.
Единственное, что придется соблюдать ортогональность(ну хотя бы относительную) в соседних сигнальных слоях.
Ну и 484 пина не такой большой корпус, чтоб из-за него такой бутерброд городить...

ЗЫ Да, и тогда ничего не надо резать - за счет увеличения в ~1.5 раза зазора до плэйна параметры пар ощутимо меняются.

ЗЫЫ Кстати, а какой шаг этого 484-х пинового монстра?