Многослойные ИС Опции

[Lyubimov]

Здравствуйте!

Хотел поинтересоваться, возможно ли создание многослойных ИС? Тоесть последовательное наращивание функциональных полупроводниковых слоёв, чередующихся со слоями разводки и изоляции. В таком случае можно было бы сократить длину некоторых сигнальных линий между её структурными элементами.

[BarsMonster]

В случае низкотемпературных процессов (например TFT на аморфном кремнии) этих слоев в принципе можно вырастить хоть тыщу, проблема в том, что транзисторы уж больно хреновые выходят.

Производство злых и быстрых транзисторов требует высокотемпературных операций, где нижние слои будут необратимо разрушаться (джедаи могут использовать импульсную обработку лазером, когда нижние слои не успеют нагреться).

Другой путь - травить сквозные дырки в кристалле, если вафля тонкая (100um) то вполне реально - это где-то уже видел сделали.

[alexunder]

Другой путь - травить сквозные дырки в кристалле, если вафля тонкая (100um) то вполне реально - это где-то уже видел сделали.

небольшое уточнение в посту BarsMonster.
Дырки под межчиповые via вытравливают и в относительно толстом кремнии (525 мкм), к примеру, для мощных транзисторов на GaN (выращенном на кремнии). Сухое травление, очень долго и в жуткой плазме.