Цитата(Major @ Jun 4 2011, 23:43)

Поиск делал, не нашел (надеюсь не баян)
Есть МПП.
Переходное отверстие (ПО) c top на bottom.
Зазор во внутренних слоях установлен 250мкм.
Для слоев типа plain зазор считается от Hole, без учета площадки (ее там и нет). Для этого правило "(OnMid OR OnPlane) AND OnCopper" для всех.
Есть еще правило приоритетом ниже "All-InPoly зазор 0.2"
Зазо в слоях plain получается ровно 250мкм от ствола, как и указано в правилах.
Проблема 1:
Для полигонов во внутреннем слое зазор отсчитывается от площадки отверстия (ободка) а не от ствола (hole) как это делается для palin слоев.
Зачем там появляется ободок если нет подключения?
Это приводит к "перерасходу зазора". По сути эти полигоны тоже plain только в нормальном слое сделаны.
Как настроить дудочку чтобы и ягодки и кувшинчик (зазор для полигонов 250мкм от ствола)?
Если проблема 1 не решается автоматом, то как автоматом генерировать пад-стеки для ПР типа top-middle-bottom с учетом подключения проводника?
Ну или как создать правило проверяющее что есть подключение в слое и ободок меньше чем надо?
P.S. забыл что для plain действует plain clearance, он стоит 0.25.
Как сделать чтобы poly считались как Plain на внутренних слоях если нет подключения к ним?
А если сменить тип VIA c Simple на Top-Middle-Bottom или на Full Stack, это Вам не поможет?
Кто ясно мыслит - тот ясно излагает.