Область безопасной работы транзисторов Опции

[SergCh]

Коллеги, никак не могу сообразить как мне рассчитать режим безопасной работы при температуре корпуса транзистора 100градусов.
Вот имеется SOA для силового транзистора для температуры корпуса +25 и температуры перехода +150гр.
Как изменится эта область для температуры корпуса +100градусов?
Для режима постоянного тока это можно посчитать через тепловое сопротивление переход-корпус, а для импульсного ?
И что за надпись в нижнем левом углу "Single pulse" применительно к графикам SOA ?

Прикрепленные файлы

 __________________2_.bmp ( 2.1 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 6

 

[Пушкарев Михаил]

Обычная практика: в справочных данных на транзистор есть график зависимости теплового сопротивления от длительности импульса при разных скважностях.
Single pulse - одиночный импульс.

[SergCh]

Обычная практика: в справочных данных на транзистор есть график зависимости теплового сопротивления от длительности импульса при разных скважностях.
Single pulse - одиночный импульс.

Таак, значит по графику теплового сопротивления от скважности (0.05) и длительности импульса (1uS) находим тепловое сопротивление переход-корпус 0.03c/w для irfp22n50 например, дальше зная температуру корпуса (100C) и максимальную температуру перехода (150C) можем найти максимально допустимую рассеиваемую мощность на транзисторе.
P=(Tj-Tcase)/Rjc=(150C-100C)/0.03C/W =1666W
Теперь вопрос, найденная мощность мгновенная или средняя за период?
То что Single Pulse это одиночный импульс я понимаю Мне интересно что это значит применительно к графикам SOA ?

[Пушкарев Михаил]

Расчет будет правильным только на участке постоянной рассеиваемой мощности графика ОБР. Мощность мгновенная. Рабочая точка не должна выходить за пределы площади, ограниченной графиком для импульса соответствующей длительности.