реклама на сайте
подробности

 
 
> Облегченная версия полевого транзистора., Маркетинг или действительность.
Bulich
сообщение Aug 16 2011, 05:21
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 73
Регистрация: 8-02-05
Из: Москва
Пользователь №: 2 512



Всем доброго времени суток.
В полумосте на 200Вт (IR2161) использую:
IRF740 - На ХХ холодный, на полной нагрузке очень уж горячий.
IRFP350 - На ХХ чуть греется, на полной нагрузке тепленький, но температура явно ниже чем для IRF740.
Извиняюсь за термины "тепленький" и т.п.
Все логично и сходится с расчетами.
Озадачился поиском транзисторов с каналом 0.2-0.3Ом канал (как IRFP350) и зарядом затвора как у IRF740.
Единственное, что нашел это IRFP350LC.
Два вопроса:
1. Действительно ли он такой хороший, неужели удалось совместить и канал 0.3 Ома и заряд в 76Кл? Это прогресс или маркетинг?
2. Может есть альтернатива для IRFP350LC?
Спасибо.


--------------------
Чудес не бывает, дерьмо случается.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
НЕХ
сообщение Aug 16 2011, 15:59
Сообщение #2


Профессионал
*****

Группа: Участник
Сообщений: 1 220
Регистрация: 10-10-06
Из: Петербург
Пользователь №: 21 169



на здоровье - всегда рад помочь

на 200 Вт стоит посмотреть на доступные FSFR2100 & FSFA2100 с интегрированными правильными ключами.

у CoolMOS есть, замеченная Вами особенность - задержка выключения, что может ограничивать их работу в мегагерцовом диапазоне.
Это связано с большой выходной ёмкость при напряжениях на стоке ниже 20 Вольт. Ёмкость затвор-сток при таких низких напряжениях тоже
не маленькая. Но это не вызывает потерь мощности в резонансных топологиях, можно прекрасно обойтись без снабберов - сам транзистор нелинейная ёмкость снаббера . А на высоких напряжениях ёмкость затвор-сток (Миллера) исчезающе мала, что делает практически бессмысленным попытки управлять скоростью переключения затворным резистором. Стоит обратить внимание на малое внутреннее сопротивление цепи затвора у некоторых Infineon - это может добавить головной боли в цепях с большой индуктивность цепи затвора и резким переключением. И производители сильно настаивают на ферритовых бусинках на затворных выводах при параллельном включении полевиков.
а главный недостаток - паразитный внутренний диод с огромным зарядом восстановления, что, впрочем, почти устранено в сериях приборов для резонансных преобразователей.

Сообщение отредактировал НЕХ - Aug 17 2011, 07:42


--------------------
Когда едешь на поезде - переезд всегда закрыт...
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Сообщений в этой теме
- Bulich   Облегченная версия полевого транзистора.   Aug 16 2011, 05:21
- - _Pasha   У Vishay/IR все, что с буквой L в конце - с уменьш...   Aug 16 2011, 05:40
- - Plain   Цитата(Bulich @ Aug 16 2011, 09:21) поиск...   Aug 16 2011, 05:43
- - Bulich   Хм... Интересно, что же это получается... Vishay д...   Aug 16 2011, 05:56
|- - _Pasha   Цитата(Bulich @ Aug 16 2011, 08:56) В чем...   Aug 16 2011, 06:39
|- - dinam   Цитата(Bulich @ Aug 16 2011, 12:56) В чем...   Aug 16 2011, 10:03
||- - _Pasha   Цитата(dinam @ Aug 16 2011, 13:03) А поле...   Aug 16 2011, 10:12
||- - dinam   Цитата(_Pasha @ Aug 16 2011, 17:12) Чей? ...   Aug 17 2011, 01:43
|- - pplefi   Цитата(Bulich @ Aug 16 2011, 09:56) Хм......   Aug 16 2011, 10:30
|- - Bulich   Цитата(pplefi @ Aug 16 2011, 12:30) Никак...   Aug 16 2011, 12:13
- - Herz   Ну, наверное, есть и другие параметры. Плюс цена в...   Aug 16 2011, 06:38
|- - Bulich   Цитата(Herz @ Aug 16 2011, 08:38) Ну, нав...   Aug 16 2011, 06:47
- - НЕХ   кто-то проспал революцию в 1998 от Infineon c имен...   Aug 16 2011, 12:44
|- - Bulich   НЕХ, три строки, но очень полезная информация. Спа...   Aug 16 2011, 15:54
|- - halfdoom   Цитата(НЕХ @ Aug 16 2011, 15:44) это и пр...   Aug 17 2011, 04:08
- - Microwatt   М-мм.. Наблюдаю, как схемы на транзисторах с бОльш...   Aug 16 2011, 15:38
|- - Bulich   Цитата(НЕХ @ Aug 16 2011, 19:59) на 200 В...   Aug 19 2011, 17:00
- - НЕХ   так они, наверно, и сбежали потому что ловить в д...   Aug 17 2011, 07:44
- - dinam   Вот кстати по-русски о технологии NexFET от TI. Ц...   Aug 17 2011, 08:27


Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 22nd July 2025 - 22:51
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.014 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016