Всем доброго времени суток.
В полумосте на 200Вт (IR2161) использую:
IRF740 - На ХХ холодный, на полной нагрузке очень уж горячий.
IRFP350 - На ХХ чуть греется, на полной нагрузке тепленький, но температура явно ниже чем для IRF740.
Извиняюсь за термины "тепленький" и т.п.
Все логично и сходится с расчетами.
Озадачился поиском транзисторов с каналом 0.2-0.3Ом канал (как IRFP350) и зарядом затвора как у IRF740.
Единственное, что нашел это IRFP350LC.
Два вопроса:
1. Действительно ли он такой хороший, неужели удалось совместить и канал 0.3 Ома и заряд в 76Кл? Это прогресс или маркетинг?
2. Может есть альтернатива для IRFP350LC?
Спасибо.

У Vishay/IR все, что с буквой L в конце - с уменьшенным зарядом затвора. Однозначно, это прогресс
Альтернатива может быть такой: STW22NM60N
С некоторых пор я перестал стесняться подбирать STшные аналоги для IRовских транзисторов, поскольку они постепенно приближаются к своему идеалу: посредственному качеству. Вон, уже гарантированное время в режиме КЗ сократили до 5мкс, в новых ИЖБТ.

Двусмысленная фраза.

А если просто нужно что-то получше, то достаточно порыться в любом нормальном магазине по нужному параметру. Посмотрите, например, AOT27S60.

Хм...
Интересно, что же это получается... Vishay делает транзисторы на 400вольт с зарядом 76Кл и каналом 0,3Ом, а ST на 600 с зарядом 44Кл и каналом 0.22Ом.
Я в чудеса не верю.
Если честно, то на транзисторы с напряжением 600Вольт даже не стал смотреть, был уверен, что они будут тяжелее четырехсот вольтовых с тем же каналом.
В чем подвох?

Ну, наверное, есть и другие параметры. Плюс цена вопроса. А также время начала производства. Просто старенькие приборы тоже продолжают выпускать, хоть новые и превосходят их по качеству.

Пока практически такой замены не делал, по сему не знаю.

Сравнил ST vs. IRFP350LC.
Цена в Digikey одинаковая, задержка выключения в ST больше... Ну и ST по всей видимости очень не просто купить будет, о чем Вы и пишите.
Видимо действительно одни старенькие, вторые более прогрессивные...
Останавлюсь видимо пока на 350LC, необходимо, то всего 10 штук, на Митинском прикупил, запаял и вопрос закрыт.
Спасибо!

А почему вы ищите подвох? В прогресс технологий не верите?
Например, самые лучшие по соотношению сопротивление заряд делает TI. Но она делает только на низкие напряжения. Искал полевичок в корпусе подобном SO-8, так оказалось самые лучшие NXP делает. А характеристики Gallium Nitride транзисторов видели? Очень впечатляют. А полевичок на 1200В с 80 mΩ и 90.8 nC (Gate Charge Total)? Правда цена его ещё больше впечатляет.

Чей?

Никаких чудес нет. Все определяется уровнем технологии и совершенством конструкции данных полевиков на фабрике изготовителя, но это другая история

Да это все понятно, логично и правильно. Но мы то сравниваем гигантов, почтенные компании как IRF, ST, Infineon и т.п. с уровнем технологий и совершенством и них думаю все в порядке, конкуренция все таки. А смутило просто такое резкое отличие, видимо все же причина в моей отсталости, давно я серьезно не занимался этим делом, вот и проморгал движение вверх вниз сопротивления каналов, зарядов и прочих полезностей.

кто-то проспал революцию в 1998 от Infineon c именем CoolMOS...
подхваченную ST c MDmesh.
это и привело к отдаче старых технологий IR к Vishay.

М-мм.. Наблюдаю, как схемы на транзисторах с бОльшим сопротивлением канала, но с меньшим зарядом переключения имеют бОльший реальный КПД. Динамические потери меньше.
Так что новое поколение транзисторов имеет явные реальные выгоды, похоже, не рекламный трюк.

НЕХ, три строки, но очень полезная информация.
Спасибо.

на здоровье - всегда рад помочь

на 200 Вт стоит посмотреть на доступные FSFR2100 & FSFA2100 с интегрированными правильными ключами.

у CoolMOS есть, замеченная Вами особенность - задержка выключения, что может ограничивать их работу в мегагерцовом диапазоне.
Это связано с большой выходной ёмкость при напряжениях на стоке ниже 20 Вольт. Ёмкость затвор-сток при таких низких напряжениях тоже
не маленькая. Но это не вызывает потерь мощности в резонансных топологиях, можно прекрасно обойтись без снабберов - сам транзистор нелинейная ёмкость снаббера . А на высоких напряжениях ёмкость затвор-сток (Миллера) исчезающе мала, что делает практически бессмысленным попытки управлять скоростью переключения затворным резистором. Стоит обратить внимание на малое внутреннее сопротивление цепи затвора у некоторых Infineon - это может добавить головной боли в цепях с большой индуктивность цепи затвора и резким переключением. И производители сильно настаивают на ферритовых бусинках на затворных выводах при параллельном включении полевиков.
а главный недостаток - паразитный внутренний диод с огромным зарядом восстановления, что, впрочем, почти устранено в сериях приборов для резонансных преобразователей.

Cree. Ещё знаю о Rohm, но они не выкладывают datasheet в открый доступ .

Там вроде по другому было (с устного рассказа) - ведущие инженера IRF перешли в Alfa&Omega, а что осталось съел Vishay.

так они, наверно, и сбежали потому что ловить в двойной диффузии больше нечего.

Вот кстати по-русски о технологии NexFET от TI.

Обнаружил что посадочное место корпуса SON 5-mm × 6-mm у TI совпадает с SO-8. А у TI транзисторы получше будут.

Не, эти не пойдут, задача то другая.
У меня "электронный трансформатор" для галогенок, не источник, а так... поделка одним словом. Гляньте, если интересно IR2161.