Потребление на 1МГц и при простое будет меньше у технологии, которая: 1. Может обеспечить функционирование на нужной частоте при как можно меньшем напряжении питания. 2. Имеет меньше паразитные емкости. 3. Не имеет при таком напряжении питания заметных утечек затворов МОП транзисторов
Величины из п.п. 1 и 2 входят во всем известную формулу для мощности переключения цифрового элемента (W=F*C*V^2) и обычно улучшаются при уменьшении проектных норм.
В общем случае технологии 90 нм обеспечивают меньшее потребление чем 350 нм. Но у многих технологий 90 нм есть утечка затвора, что может существенно ухудшить энергосбережение в простое. Но каждый вариант технологии нужно будет подробно рассматривать.
--------------------
Человек учится говорить два года, а молчать - всю жизнь
|