Снижение энергопотребления Опции

[BarsMonster]

Допустим наша цель - минимальное потребление для процессора на частоте 1Мгц / во время простоя без выключения питания. Какой техпроцесс обеспечивает это? Т.е. понятно что на 90нм уже большие токи утечки... Или при достаточно низком напряжении питания 90нм все-равно будет лучше чем 350?

Какие есть технологические/схемотехнические способы по снижению crowbar тока во время переключения?

Со способом уменьшения потребления путем уменьшения кол-ва переключений (перемещая "glitchy-logic" в конец) - понятно.

[sleep]

> Ммм.... А что такое SS, TT и FF? :-)
Насколько я помню, S/T/F говорит об угле техпроцесса при характеризации p/n МОП транзистора.
Если SS, TT и FF - значит, оба типа транзисторов в одинаковых условиях.

> Модели для углов SS, TT, FF у меня дают очень большое различие по утечкам - почти 2 порядка между SS и FF.
Чем глубже в субмикрон, тем таким делам всё меньше удивляешься : )
Там уже начинаются интересные углы типа (FF, +125C), (SS, -40C), которые на транзисторах с HVT/LVT порогами дают разные аномальные быстродействия.

[cdsinit]

Насколько я помню, S/T/F говорит об угле техпроцесса при характеризации p/n МОП транзистора.
Если SS, TT и FF - значит, оба типа транзисторов в одинаковых условиях.

Есть еще варианты SF и FS - небольшие перекосы между P и N транзисторами. Как я понял, по быстродействию они весьма близки к TT.

Чем глубже в субмикрон, тем таким делам всё меньше удивляешься : )
Там уже начинаются интересные углы типа (FF, +125C), (SS, -40C), которые на транзисторах с HVT/LVT порогами дают разные аномальные быстродействия.

"With the scaling of CMOS technologies, the gap between nominal supply voltage and threshold voltage has decreased significantly. This trend is further amplified in low-power nanometer libraries, which feature cells with identical size and functionality, but different threshold voltages. As a consequence, different cells may have different delay behaviors as the temperature varies within a circuit. For instance, cells with low-threshold devices may experience an increase in delay when temperature increases, whereas cells using high-threshold devices may experience the opposite behavior."

Аномалии видимо начинаются по причине того, что напряжение питания настолько низкое, что сравнимо с суммой абсолютных величин порогов P и N транзисторов.
С ростом температуры пороги уменьшаются, подвижность тоже. Уменьшение порогов приводит к снижению задержек, а уменьшение подвижности наоборот к их росту.
Этим можно объяснить рост задержек у низкопороговых транзисторов с повышением температуры и уменьшение задержек у высокопороговых.