Цитата(Andron55 @ Nov 23 2011, 01:03)
Что-то Ваши утверждения «слегка» расходятся с классической эквивалентной схемой трансформатора.
Вот Ваш «рs» поближе к истине, но всё равно, если нетрудно, потрудитесь пояснить схемно.
Расхождений нет. В классической схеме замещения присутствуют индуктивности рассеяния обоих обмоток (хотя рассеяние как таковое нераздельно и принадлежит трансформатору в целом). Если их привести к одной из сторон, то они будут вносить разный вклад в повышающих и понижающих трансах в те процессы, о которых говорили выше. Почему так, я пояснил в том "ps".
Цитата(Tiro @ Nov 23 2011, 04:22)
Суть размагничивания в том, чтобы не допустить неконтролируемого роста тока намагничивания и в пределе насыщения магнитопровода. Для этого совсем не обязательно магнитопровод перемагничивать, достаточно изъять накопленную в магнитопроводе энергию. Пусть он останется частично намагниченным (коэрцитивную силу еще никто не отменял), пусть работает в одном квадранте петли гистерезиса, потери будут только меньше.
Если будем говорить более обобщённо, то суть в том, что нужно подготовить материал магнитопровода (привести к начальным условиям) для следующего периода работы преобразователя. Обычно, если говорят о "размагничивании", то подразумевается, что прикладывается дополнительная энергия для возврата материала в определённое начальное состояние, в которое он не может вернуть себя самостоятельно. Если дополнительных затрат энергии нет, то он размагнитится естественным путём до величины остаточной индукции, не это не "размагничивание" в полноценном смысле этого слова и об этом обычно не говорят.
Цитата(Tiro @ Nov 23 2011, 04:52)
В своей практике я обычно стараюсь использовать "малые" зазоры. Это когда длина зазора Lз <= 0,1..0,2 от минимального размера в сечении магнитопровода. Тогда можно пренебречь выпучиванием силовых линий и эквивалентное мю можно приблизительно рассчитать Мюэ=Мю/(1+Мю*Lз/Lcp) Если начальное Мю >> 1, то тогда Мюэ=Lcp/Lз. Индуктивность намагничивания всегда зависит от Мюэ, поэтому Ваше утверждение мне представляется неверным.
Вы всё правильно написали и сделали правильный вывод (касаемо зависимости) - Мюэ при указанных условиях перестаёт зависеть от Мю магнитного материала. Т.е. индуктивность обмотки уже не определяется Мю материала магнитопровода. Об этом же я и писал в своём посте.
Цитата(Starichok51 @ Nov 23 2011, 05:25)
я смотрю, тут на форуме есть valvol.
полагаю, что это и есть Валентин Володин, на документ которого я ссылался.
К Володину отношения не имеет. Это другой, не менее уважаемый участник форума.
Цитата(Starichok51 @ Nov 23 2011, 04:43)
вот это и есть полная чушь, от начала и до конца.
описанное перемагничивание относится к двухтактным схемам, и не имеет никакого отношения к прямоходу.
более того, никакими методами в прямоходе не добиться смены знака магнитного поля.
Starichok51, здесь, на форуме, у одного участника есть подпись - "Заблуждаться - Ваше законное право". Можете воспользоваться своим правом, только не нужно вводить в заблуждение других участников форума, комментируя в категоричной форме те вопросы, в которых вы не до конца разобрались.
По поводу того, как получить симметричное перемагничивание в однотакте, можете прочитать
эту статью, там для новичков, понятно и с картинками показан механизм симметричного перемагничивания сердечника трансформатора в прямоходе.
От ответа на вопрос, что входит в энергию рассеяния в понижающем и повышающем трансах (или как вы это считаете в своих программах, "популярностью перешагнувших границы бывшего Союза"), вы уклонились, ответили на совсем другой вопрос. Можете дальше мне не отвечать.
Влияние немагнитного зазора в трансе прямохода, Выделено из темы о тр-ре для флая
Nov 17 2011, 05:29
Это я так, между прочим.
