тепловые параметры корпуса транзистора, что и как Опции

[Skywolf]

Столкнулся с проблемкой описания тепловых параметров транзистора.
Конкретно разбираюсь с IRGP50B60PD1 от "Интернационального Выпрямительного Завода"

В даташите есть параметры:

1) TJ | Operating Junction and Storage Temperature Range | -55 to +150 °C

2) RθJC (IGBT) | Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT) | 0.32 °C/W
3) RθJC (Diode) | Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode) | 1.7 °C/W
4) RθCS | Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) | 0.24 °C/W
5) RθJA | Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) | 40 °C/W

Я понимаю эти параметры как:
1) TJ Первое это температура работы и хранения, причем температура именно самого полупроводника (Junction)
2) RθJC (IGBT) Тепловое сопротивления между полупроводником (IGBT) и наружной плоскостью медного основания.
3) RθJC (Diode) Тепловое сопротивление между полупроводнико (Обратный диод) и наружной плоскостью медного основания.
4) RθCS Тепловое сопротвление между наружной плоскостью медного основания и радиатора
5) RθJA Тепловое сопротивление между кристалом и воздухом...


Меня смущает мое понимание четвертого пункта. Ведь он зависит от термопасты или прокладки, толщины оных, усилия прижатия. Тут они вроде имеют ввиду что используется термопаста, хотя я не понимаю.
Я буду монтировать через резинку Keratherm толщиной 0.5 мм и теплопроводностью 8,0 Вт/м*К и на ней я потеряю 16 °C при мощности теплоотвода 50 Вт

Резинка достаточно пластичная, поверхность радиатора полированая, у транзистора тоже, прижим мощной пружинной скобой. Вопрос нужноли мне учитывать этот самый RθCS , ведь уменя другие условия контакта транзистора ирадиатора???