Столкнулся с проблемкой описания тепловых параметров транзистора.
Конкретно разбираюсь с IRGP50B60PD1 от "Интернационального Выпрямительного Завода"

В даташите есть параметры:

1) TJ | Operating Junction and Storage Temperature Range | -55 to +150 °C

2) RθJC (IGBT) | Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT) | 0.32 °C/W
3) RθJC (Diode) | Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode) | 1.7 °C/W
4) RθCS | Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) | 0.24 °C/W
5) RθJA | Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) | 40 °C/W

Я понимаю эти параметры как:
1) TJ Первое это температура работы и хранения, причем температура именно самого полупроводника (Junction)
2) RθJC (IGBT) Тепловое сопротивления между полупроводником (IGBT) и наружной плоскостью медного основания.
3) RθJC (Diode) Тепловое сопротивление между полупроводнико (Обратный диод) и наружной плоскостью медного основания.
4) RθCS Тепловое сопротвление между наружной плоскостью медного основания и радиатора
5) RθJA Тепловое сопротивление между кристалом и воздухом...


Меня смущает мое понимание четвертого пункта. Ведь он зависит от термопасты или прокладки, толщины оных, усилия прижатия. Тут они вроде имеют ввиду что используется термопаста, хотя я не понимаю.
Я буду монтировать через резинку Keratherm толщиной 0.5 мм и теплопроводностью 8,0 Вт/м*К и на ней я потеряю 16 °C при мощности теплоотвода 50 Вт

Резинка достаточно пластичная, поверхность радиатора полированая, у транзистора тоже, прижим мощной пружинной скобой. Вопрос нужноли мне учитывать этот самый RθCS , ведь уменя другие условия контакта транзистора ирадиатора???

Junction - кристалл, Sink-теплоотвод (металлическая часть фланца транзистора), Case - корпус, Ambient - окружающая среда.
В п.4 учитывается теплопроводность только между кристаллом и фланцем, а не каким-то абстрактным внешним радиатором.
В п.5 подразумевается, что транзистор не имеет теплоотвода и охлаждение его происходит за счет отвода тепла через выводы и за счет естественной конвекции воздуха, возникающей возле его корпуса.
Вообще вопросы теплопроводности и теплопередачи не настолько простые. В каждом конкретном случае нужно учитывать конструкцию устройства в целом. А теоретические расчеты могут дать большую погрешность, проще всего провести натурный эксперимент.

Case - корпус - корпус транзистора?, вед есть Sink-теплоотвод (металлическая часть фланца транзистора) и есть "Корпус", или корпус всмысле пластмасса?

у транзистора есть два сопротивления последовательно Junction-to-Case и Case-to-Sink, а ваше обяснение я понимаю как Case есть корпус и Sink тоже корпус.

Извиняюсь что немного ввел вас в заблуждение с терминологией. Чтобы не пересказывать, посмотрите лучше вот этот документ от производителя. И вот этот.

Судя по картинке (текста там мало ) из документа ссылку на который вы дали:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Я был прав

Case - медная пластина транзитора
Sink-поверхность радиатора

Paste- КПТ-8, паста теплоароводная между Case и Case ( Case-to-Sink = RθCS )
И если это так то как ои щитают это термосопротивление? паста неи звестна, толщина слоя тоже , усилие прижима не понятно откуда.

И что-то мне подсказывает что если я буду использовать свою термопрокладку то учитывать это Case-to-Sink = RθCS мне не надо...

RθCS характеризует количество (площадь) материала, участвующего в теплообмене между ними. Вы не можете по собственному желанию увеличить площадь фланца и радиатора до до бесконечности, поэтому не учитывать тепловое сопротивлением case-to-sink как-то даже глупо.

судя по рисунку RθCS это теплопроводность "пасты" - Pate

я и не хочу убирать RθCS вобще, я хочу его заменить своим значением, т.к. я не использую непонятную империческую пасту, а в место нее теплопроводную прокладку с вполне известными параметрами.